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0-3型改性PZT/IPN压电复合材料的制备和性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以溶胶-凝胶法制备改性PZT纳米陶瓷粉体,粉体直径50nm左右。以改性PZT陶瓷粉体为压电相,以同步法制备的互穿聚合物网络(IPN)为基体相,采用溶液混合法制备0-3型改性PZT/IPN复合材料。采用自制极化装置对复合体系进行电晕极化,极化电压为9.5kV、极化温度为100℃、极化时间为45min。对不同改性PZT含量的复合材料介电、压电性能检测结果表明:复合材料介电性能和压电性能介于有机和无机体系之间。随着PZT陶瓷含量的增加,复合材料的电性能参数逐渐接近陶瓷相。 相似文献
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用胶体化学的方法获得PZT溶胶,利用LB技术制备PZT超细陶瓷微粒/硬脂酸复合LB膜,热处理后得到PZT超薄膜.由π-A曲线确定了具体的拉膜工艺参数和条件,由紫外-可见吸收光谱和AFM照片对复合LB膜和超薄膜进行表征和性能检测.结果表明:超薄膜中PZT超微粒排布较均匀,覆盖度较高;复合膜层均匀,在194 nm和256 nm处均有较强的吸收峰. 相似文献
3.
采用聚苯乙烯(PS)和丁二烯与苯乙烯的嵌段共聚物(S
BS)为成膜物,以硫酸钡、聚异丁烯为填料和改性剂,并加入偶联剂,获得有较强防腐能力的蚀刻用保护涂料并筛选出最佳工艺条件.在较高温度下,该涂料对饱和氟化氢、饱和氟化氢铵溶液等强腐蚀性介质有良好的化学稳定性,可用于玻璃、石英蚀刻中的表面防腐. 相似文献
4.
本文采用座滴法在真空下系统研究了硼含量对TiZrNiCu/Ti60润湿性的影响,且在940°C保温10分钟条件下实现了与的钎焊。通过SEM、XRD以及剪切实验研究了界面显微组织及剪切力学性能。添加B元素可以与Ti原位合成TiBw,从而细化界面的显微组织。当B含量为0.3 wt %时,TiBw-TC4 /TiZrNiCu-B/Ti60接头的最大剪切强度为177 MPa,比无B含量的接头强度高65%。然而,过量的B含量使TiZrNiCu-B在Ti60合金基体上产生大量的TiBw,导致润湿性恶化,在钎焊接头形成微孔和未焊合区域,从而使剪切强度下降。 相似文献
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Al-SBA-15介孔分子筛的制备及表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶法合成了纯硅SBA-15介孔分子筛,并对盐酸的用量、硅源(TEOS)的用量以及晶化温度等影响产物质量的主要因素进行了考察。在此基础上通过后嫁接掺铝法将不同含量的铝掺入介孔分子筛SBA-15的骨架中,合成出Al-SBA-15介孔分子筛。通过X射线粉末衍射和氮气吸附.脱附分析等手段对所得样品进行了表征。结果表明,掺铝后SBA-15骨架的六方介孔结构仍保持其高度的有序性。 相似文献
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选用SnCl4·5H2O和SbCl3为基本原料,采用共沉淀法制得了掺锑氧化锡(ATO)沉淀,经胶溶制得ATO纳米水溶胶,将其溶于纯水并作为亚相,采用LB膜技术制备了10mm×30mmATO复合膜,烧结处理后制得ATO超薄膜,采用紫外光谱、X-射线衍射、原子力显微镜等手段对热处理前后的薄膜进行了形貌、组成、结构表征。结果表明,制得的是均匀性和覆盖度较高的ATO超薄膜。 相似文献
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改性PU/PMMA半IPNs与BaTiO3纳米复合体系相容性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
从分子结构设计出发,以丙烯酸改性聚氨酯与聚甲基丙烯酸甲酯为原料,通过同步互穿工艺,制备了室温固化互穿聚合物网络,进而与BaTiO3纳米粉复合,获得纳米复合体系,分别采用IR、TMA,TEM等技术检测了互穿聚合过程和网络的相容性。结果表明:通过确定的同步互穿工艺可有效地控制两相间的分离程度;IPN中大量的互穿缠结结构使体系的玻璃化转变温区有效衔接,且体系中化学交联结构的引入,可大大改善组分间的相容性,使聚合物两相间及复合体系的相畴尺寸控制在纳米级范围内。 相似文献
9.
芳香不对称聚酰亚胺的合成及其介电性能 总被引:2,自引:0,他引:2
通过氟烷基化及结构设计可获得具有良好热稳定性、介电常数和介电损耗较低的新颖结构的聚酰亚胺,可望有效用于高透波涂层体系.在Pb/C催化下,4-硝基氯苯与2-氟-4-硝基苯酚反应合成硝基化合物2-氟-4-硝基-1-(4-硝基苯氧基)苯(FNNB),其与水合肼反应生成二胺单体4-(4-氨基苯氧基)-3-氟苯胺(APFA),进而与芳香对称二酐单体6FDA反应合成芳香不对称聚酰亚胺.通过红外光谱和热重-差热跟踪检测确定聚酰胺酸及其亚胺化过程;通过红外光谱、氢核磁共振谱、差示扫描量热分析等表征确定聚酰亚胺的特定结构;对聚酰亚胺流延膜采用热重-差热分析、原子力显微镜观测、紫外-可见分光光度以及介电常数(ε)、介电损耗(tan δ)等检测.结果表明:膜表面颗粒尺寸均匀,平均粗糙度为9.024 nm;在可见光区透过率>80%;分解温度均超过500 ℃;1 MHz和10 MHz时,经250 ℃固化膜的ε分别为3.65和2.38, tan δ峰值为0.010 7. 相似文献
10.
LB技术制备ATO超薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
选用SnCl4·5H2O和SbCl3为基本原料,采用共沉淀法制得了掺锑氧化锡(ATO)沉淀,经胶溶制得ATO纳米水溶胶,将其溶于纯水并作为亚相,采用LB膜技术制备了10 mm×30 mm ATO复合膜,烧结处理后制得ATO超薄膜,采用紫外光谱、X-射线衍射、原子力显微镜等手段对热处理前后的薄膜进行了形貌、组成、结构表征.结果表明,制得的是均匀性和覆盖度较高的ATO超薄膜. 相似文献