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基于高阻硅衬底的微波传输线和数字移相器 总被引:1,自引:0,他引:1
在高阻硅衬底上微波传输线以及工作在7.5~8.5GHz频带的四位数字移相器.测试表明,在高阻硅衬底上制备的50Ω微带线在5~15GHz频率范围内的插入损耗低于0.8dB/cm;在同样衬底上用混合集成技术制作的7.5~8.5GHz四位数字移相器的各状态插入损耗为(7.5±3)dB,回波损耗大于12dB,均方根(RMS)相位误差小于5°.具有良好的微波器件性能. 相似文献
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利用阻抗矩阵法求出GaAs场效应管的小信号等效电路S参数,并提出应用遗传算法提取等效电路模型参数.该法具有收敛快速、精确度高的特点,使各个模型参数均能得到较为精确快速的提取. 相似文献
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在介电常数为2.20±0.02,厚度为254μm的Rogers5880衬底上用混合集成技术制作了9.5~10.5GHz平衡,I-Q矢量调制器.测试结果表明:各状态插入损耗为(7.5±1)dB,回波损耗大于16dB,均方根(RMS)相位误差小于5.,各状态之间的幅度不平衡小于0.5dB,可实现对9.5~10.5GHz载波信号的直接QPSK调制.文中还提出电路性能优化的一些方法. 相似文献
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给出了一种应用在毫米波前端的单平衡环形混频器。该混频器采用高介电常数的复合材料(R ogersDuro id3010,rε=10.2),以获得较小的芯片面积;电路设计中重点考虑了在较低的本振功率的情况下获得较小的变频损耗,并给出了一种新的混合环的分析方法。当本振在36.5 GH z有9 dBm的功率输入时,混频器有7 dB的变频损耗,双边带噪声系数11.5 dB,本振到中频和射频到中频分别有40.5 dB和31 dB的隔离度。 相似文献
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