有机硅等离子体聚合薄膜制备及其强场特性研究

本文运用射频辉光放电的低温等离子体在基底上沉积出均匀、透明的聚六甲基二硅气烷（HMDSO）聚合膜，用红外光谱揭示了材料的化学结构。通过击穿和伏安特性研究了等离子体聚合膜的强场特性，发现其导电机理为场助热离子跃迁。此外还分析了退火工艺对薄膜结构和击穿性能的影响。     

等离子体聚合乙烯薄膜的制备及其电击穿的初步研究

利用射频放电的低温等离子体对乙烯气体进行气相聚合，得到了均匀无针孔的等离子体聚乙烯薄膜，对化学结构进行了对比研究，对其电击穿特性进行了初步讨论。     

高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响

SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能.为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC (0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO2栅氧化层.在室温下,对SiC MOS电容样品的栅氧化层进行零时击穿(TZDB)和与时间有关的击穿(TDDB)测试,并对不同干氧氧化温度处理下的栅氧化层样品分别进行了可靠性分析.结果发现,在1 250℃下进行高温干氧氧化时所得的击穿场强和击穿电荷最大,分别为11.21 MV/cm和5.5×10-4 C/cm2,势垒高度(2.43 eV)最接近理论值.当温度高于1 250℃时生成的SiO2栅氧化层的可靠性随之降低.