基于4-叔丁基吡啶的染料敏化太阳电池中电子传输研究

采用强度调制光电流谱（IMPS）／强调制光电压谱（IMVS）技术,从电子传输和复合动力学的角度,研究了DSC的液态电解质中加入TBP后,电池光伏性能变化的电荷传输机理。研究结果表明：DSC电解质中加入TBP后,TiO2导带边负移,导致DSC的开路电压明显增大;同时光生电子注入动力降低,多孔薄膜中光生电子浓度减少,电子传...     

脉冲激光沉积(PLD)法制备NiZn铁氧体多晶薄膜研究

采用脉冲激光沉积（PLD）法分别在硅和玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体多晶薄膜。实验表明：基片温度、氧气压以及热处理对薄膜的沉积速率、磁性能有很大影响。     

脉冲激光沉积NiZn铁氧体薄膜的微观结构和磁性

采用脉冲激光沉积（PLD）技术，分别在单晶硅基片和玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体多晶薄膜，薄膜为单相尖晶石结构，在两种基片上都呈现出一定的（400）晶面的择优取向，但在硅基片上择优生长更显著；随着基片温度t的升高，薄膜晶粒尺寸逐渐增大；在t=500℃附近饱和磁化强度Ms出现最小值，而矫顽力Hc出现最大值；对薄膜进行退火处理。可使细小晶粒长大和内应力减小，对改善较低温度条件下制备的薄膜的软磁特性具有明显作用。     

脉冲激光沉积NiZn铁氧体薄膜的微观结构和磁性

采用脉冲激光沉积 (PLD)技术 ,分别在单晶硅基片和玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体多晶薄膜 ,薄膜为单相尖晶石结构 ,在两种基片上都呈现出一定的 ( 4 0 0 )晶面的择优取向 ,但在硅基片上择优生长更显著 ;随着基片温度t的升高 ,薄膜晶粒尺寸逐渐增大 ;在t=5 0 0℃附近饱和磁化强度Ms 出现最小值 ,而矫顽力Hc 出现最大值 ;对薄膜进行退火处理 ,可使细小晶粒长大和内应力减小 ,对改善较低温度条件下制备的薄膜的软磁特性具有明显作用     

用于多电机同步控制的角位移传感器设计

本文介绍了一种可用于多电动机同步控制系统的角位移传感器.它采用导电塑料电位器为敏感元件,电位器滑动转轴与质量块固定,将传感器转角的变化转换成电阻的变化并通过测量转换电路改变输出电压,输入变频器控制多电机同步运行.详细分析了传感器的结构、特点和测量转换电路.实验表明输出电压与角位移变化呈线性关系.