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采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体.通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,研究了ZnO含量对低损耗MnZn功率铁氧体起始磁导率(μ1)和损耗温度特性的影响.结果表明,随着ZnO摩尔分数的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi、饱和磁感应强度Bs、密度及电阻率均先增大后减小,损耗先减小后增大,居里温度一直降低.当x(ZnO)=14.5%时,室温下铁氧体的μ1、Bs、密度及电阻率均达到最大值,而磁滞损耗(Ph)、涡流损耗(Pe)及总损耗(Pcv)达到最小值.同时,铁氧体的μiT曲线Ⅱ峰及最低损耗所对应的温度点向低温移动.Ph-T曲线与μi-T曲线呈相反的变化趋势;Pe-T曲线与经典涡流损耗不一致,主要是由于与磁滞损耗有关的附加涡流损耗(Pe,exc)对总的涡流损耗有一定贡献.最终,当x(ZnO)=14.0%时,MnZn铁氧体材料的室温μi为3180,在25~120℃温度范围总损耗(Pcv)为280~350 kW/m3,具有优秀的宽温低损耗特性. 相似文献
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在二氧化硅衬底上制备磁光Ce:YIG薄膜用于磁光波导型器件 总被引:1,自引:0,他引:1
对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究.用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片.上淀积Ce1YIG薄膜,再对此薄膜进行晶化处理,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜.本文讨论了晶化过程中,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响.结果表明:采用波长为630nm的可见光测量,薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为0.8deg/μm.同时,晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向,其居里温度点为220℃.所得Ge1YIG薄膜的参数表明:所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器. 相似文献
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采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体.通过对铁氧体微结构的表征及电、磁性能的测试,研究了ZrO2对MnZn功率铁氧体起始磁导率(μi)和损耗(Pcv)温度特性的影响.结果表明,随着ZrO2添加量的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi及电阻率均先增大后减小,损耗则先减小后增大;当w(ZrO2)=0.02%时,μi和电阻率达到最大值,损耗最低.此外,铁氧体的μi-T曲线Ⅱ峰及损耗最低点所对应的温度随着ZrO2掺杂量的增加向低温移动.当ω(ZrO2)=0.02%时,MnZn功率铁氧体在25~120℃的宽温范围内保持较低损耗. 相似文献
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硒对猕猴桃抗氧化活性的促进作用 总被引:2,自引:0,他引:2
在大田条件下,给中华猕猴桃施以浓度分别为0.15、0.3、0.5 mg/kg的Na2SeO3溶液,在盛花期后测定猕猴桃叶各项生理指标,研究硒对猕猴桃生理生化的影响。结果显示:施硒提高了猕猴桃叶总叶绿素含量,谷胱甘肽过氧化物酶(GPx)、超氧化物歧化酶(SOD)以及过氧化物酶(POD)活性。然而高浓度的硒(≥0.5mg/kg)则降低了叶绿素含量,抑制了叶绿素超氧化物歧化酶(SOD)以及过氧化物酶(POD)活性。实验表明适宜浓度范围的硒可以提高猕猴桃的抗氧化能力。 相似文献
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