C3N4—替代金刚石的新材料

Ｃ＿３Ｎ＿４──替代金刚石的新材料李建保，孔向阳，范守善（清华大学材料系，清华大学物理系北京１０００８４）Ｃ３Ｎ４作为一种预言其硬度可与金刚石相比拟的新材料已为不少材料科学工作者所关注。这种新材料一开始不是从实验研制中获得的，而是ＭａｒｖｉｎＬ．Ｃｏ...     

电火花线切割高精度补偿控制系统

通过对电火花数控系统的革新，建立一个附加的补偿系统，该补偿系统能够对机床导轨的轨迹误差和传动系统误差进行补偿，建立一个模拟的理想坐标格栅，此坐标格栅作为机床的工作参照坐标，使机床的加工精度得到大幅度的提高。对补偿系统的定期校验则可以弥补机床磨损造成的精度降低，使线切割机床的高精度工作寿命得到延长。     

二维TiO_2纳米网格对CdTe量子点的吸附性能

通过真空蒸镀和高温煅烧方法,从蝴蝶翅膀鳞片生物模板上复制二维TiO2纳米网格,采用SEM、EDS、TEM等对其进行了表征,分析了其对CdTe量子点的吸附性能。结果表明:用此方法可成功制备二维TiO2纳米网格,高温煅烧可以完全去除生物模板;TiO2纳米网格上形成了吸附较好的CdTe量子点,TiO2纳米网格比TiO2膜有更好的吸附性能。     

电火花线切割高精度补偿控制系统

通过对电火花数控系统的革新,建立一个附加的补偿系统,该补偿系统能够对机床导轨的轨迹误差和传动系统误差进行补偿,建立一个模拟的理想坐标格栅,此坐标格栅作为机床的工作参照坐标,使机床的加工精度得到大幅度的提高。对补偿系统的定期校验则可以弥补机床磨损造成的精度降低,使线切割机床的高精度工作寿命得到延长。     

FeCo-Al2O3纳米颗粒膜的TEM观察

自从1988年在Fe/Cr多层膜中发现巨磁电阻效应(GMR)以来,GMR薄膜以其丰富多彩的基础研究内涵和在磁记录介质和传感器等领域宽广的应用前景而成为近年来薄膜研究的热点之一.而随后在Co-Cu、Co-Ag等纳米颗粒膜中也发现了巨磁电阻效应,纳米颗粒膜更以其简便的制备工艺而倍受青睐.虽然目前人们对颗粒膜的GMR效应提出了一些理论解释[1,2],但是这些理论不能完全解释实验中所观察到的现象,因此有关颗粒膜的微结构与GMR性能的内在关系仍有待进一步的研究.本文采用多靶磁控溅射方法制备了一系列不同体积分数(25～51vol.%FeCo)的FeCo-Al2O3纳米颗粒膜,研究了其微结构和GMR性能的关系.     

盐浴渗钒层的制备及性能研究

针对Cr12MoV钢和T8钢,研究了盐浴渗钒层的制备工艺,同时对盐浴渗钒层的组成、相结构、硬度和耐磨性进行了研究。结果表明,通过本研究开发的熔盐配比和处理工艺,获得的渗层主要由碳化钒组成,而且渗层组织均匀、结构致密、具有很高的显微硬度和良好的耐磨性。     

ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构表征与发光特性

ZnO、Zn2SnO4均为直接带隙宽禁带氧化物半导体,是优异的功能材料.以ZnO、SnO2为原料,通过共热蒸发法,合成了ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构.该纳米电缆结构为以ZnO为芯,Zn2SnO4为鞘,直径为50~100nm,长度可达上百微米.通过TEM分析手段,发现该纳米电缆结构中,ZnO的生长方向为<0001>方向,ZnO芯与Zn2SnO4鞘之间形成晶格外延关系.室温下光致发光谱结果显示,该纳米电缆结构在紫外区域(380.58nm附近处)存在很强的带边发光,而在可见光区域没有明显的发光带,这一结果表明:Zn2SnO4鞘层的存在能有效抑制ZnO表面的缺陷发光.ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构可以抑制电子-空穴的复合,在染料敏化太阳能电池等方面有一定的应用潜力.     

有机前驱体热解法合成单晶氮化硅纳米线

在高纯氮气气氛中采用有机前驱体热解法合成了氮化硅纳米线,对氮化硅纳米线所进行的详细的微观表征表明它们具有良好的单晶特性,其生长沿着α-Si_3N_4的[1010]方向并受VS机制所控制.在室温下用325 nm激光对样品激发,观察到样品有很宽的强光致发光带,在实验中用肉眼即能观察到从样品所发出的强光.考虑到通过稀土掺杂(如引入Nd、Eu、Er和Yb)等手段能够降低氮化硅纳米结构的能带从而进一步调控其光学性能,可以相信氮化硅纳米线在防伪发光材料领域将有着广阔的开发潜力.     

湿化学法原位制备（Ti,Zr）C固溶粉体

采用化学共沉淀法原位制备了（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｃ均相固溶体粉末，用粒度分析仪和扫描电镜分析粒度大小，分布与形貌，Ｘ射线粉末衍射和Ｒａｍａｎ散射谱表明制得的粉体均匀的单相固溶体，通过ＤＴＡ－ＴＧ热分析研究了由溶胶混合物形成固溶体的反应过程与机制。