Etching Mechanisms of CF3 Etching Fluorinated Si:Molecular Dynamics Simulation

Molecular dynamics simulations are performed to investigate CF3 continuously bom-barding the amorphous silicon surface with energies of 10eV,50eV,100eV and 150eV at normal incidence and room temperature.The improved Tersoff-Brenner potentials were used.The simu-lation results show that the steady-state etching rates are about 0.019,0.085 and 0.1701 for 50eV,100eV and 150eV,respectively.With increasing incident energy,a transition from C-rich surface to F-rich surface is observed.In the region modified by CF3,SiF and CF species are dominant.     

电流对多级弧放电装置中的氩等离子体

使用PLASIMO模拟了不同外加电流对多级弧放电产生的非热平衡下的氩等离子体特性的影响。在模拟中,腔体两端所加电流分别为30,50,70和90 A;模拟结果表明,在模拟区域内,电子密度呈先增大后减小的趋势,并且随着外加电流的增加,中心轴线上出口处的电子密度、电子温度和重粒子温度均逐渐增大。电子的电导率和电子以及重粒子的热导率也随着外加电流的增加而增大。     

F原子与Si表面相互作用的动力学研究

采用分子动力学方法模拟了F原子与Si表面相互作用,F原子入射能量分别为0.3,1,3,5,7和9 eV。在模拟过程中,F原子的沉积率与Si表面悬键密度有关,而Si原子的刻蚀率与表面晶格结构破坏程度有关,随着Si原子刻蚀率的增加,样品高度降低。在不同能量F原子作用下,样品Si表面形成Si-F反应层。Si-F反应层的厚度随入射能量的增加而增加,其组成成分对产物有至关重要的影响。     

入射角度对Ar~+与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟

采用分子动力学模拟方法研究了入射角度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响。由模拟结果可知,入射角度对样品原子溅射影响很大。随着入射角度的增大,Si原子和C原子的溅射量先增加后减小。相同入射角度下,Si原子的溅射阈值比C原子的小,Si原子的溅射量大于C原子的溅射量。初始样品在Ar+以不同角度轰击2000次后的形貌各异。产物中主要以Si原子和C原子为主,有少量的Si类和C类产物。入射角度对产物Si原子的角度分布几乎没有影响,而对产物C原子的角度分布有较小的影响。     

Ar射频放电特性随时间演化的PIC/MCC模拟

采用等离子体粒子模拟方法（PIC/MCC）方法对一维模型模拟了容性耦合等离子体（CCP）源放电过程中等离子体的动力学行为。在模拟氩气放电的过程中,综合考虑了电子与Ar之间的弹性碰撞、激发、电离以及Ar与Ar+之间的弹性碰撞和电荷交换过程。由模拟结果可知,射频极板附近鞘层区域在极短时间内形成,其厚度随着时间的增加而增厚;而射频极板处的粒子通量随着时间的增加逐渐减小。经过一段时间后,射频极板处平均粒子通量、平均电流以及鞘层平均厚度逐渐趋于平衡。在鞘层区域电流主要由位移电流构成,在等离子体区域电流主要由传导电流贡献。最后讨论了达到平衡态后等离子体密度、电势、电场强度和能量的空间分布情况。     

不同流速对LTE态下氢等离子体特性的研究

采用二维流体力学模型研究了多级直流弧放电装置中流速对处于局部热平衡状态下氢等离子体特性的影响.分析了氢等离子体中心轴线处电场和压强的分布情况;各粒子密度在通道中的分布状态;通道出口处等离子体温度以及电导率的分布情况.模拟结果表明,随着流速的增大,中心轴线处电场和压强均增大;通道中氢等离子体的各粒子密度变化很小;通道出口处等离子体温度以及电导率在出口处沿径向的分布影响不大.     

An MD Study of the Temperature Effect on H Interacting with SiC （100）

Molecular dynamics simulations were performed to study the interaction between atomic hydrogen and silicon carbide. In the present study, we focus on the effect of the surface temperature on H interacting with silicon carbide. The simulation results show that the retention of H atoms in the sample decreases linearly with increasing surface temperature. The depth profile analysis shows that the sample is modified by H bombardment, and the density of H atoms is greater than those of Si and C atoms near the interface region between the H-containing region and the bulk. However, near the surface region the densities of H, Si and C atoms are almost equivalent. In the modified layer, the bonds consist of Si-C and Si-H and C-H. The fraction of Si-C bonds is the greatest. Only a few C-H bonds are present.     

分子动力学模拟入射角度对F离子与β-SiC表面相互作用的影响

本文采用分子动力学方法模拟了不同入射角度对F离子与SiC表面相互作用的影响,模拟选择的入射能量为10 eV,入射角度分别为15?、30?、45?、60?和75?。模拟结果显示,F离子的沉积率随入射角度的增加而减小。当入射角度为45°时,Si原子和C原子的刻蚀率最大,且Si原子的刻蚀率大于C原子。在相互作用过程中,SiC表面形成一层Si-C-F反应层,反应层厚度随入射角度增加而减小,并且其主要成分是SiF和CF。     

Angular Effects on F~+ Etching SiC:MD Study

Molecular dynamics(MD) simulations were performed to investigate F+ continuously bombarding SiC surfaces with energies of 100 eV at different incident angles at 300 K.The simulated results show that the steady-state uptake of F atoms increases with increasing incident angle.With the steady-state etching established,a Si-C-F reactive layer is formed.It is found that the etching yield of Si is greater than that of C.In the F-containing reaction layer,the SiF species is dominant with incident angles less than 30o.For all incident angles,the CF species is dominant over CF2 and CF3.