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日前,由工业和信息化部软件与集成电路促进中心(以下简称CSIP)组织的第四届“中国芯”评选活动结束。本文根据参选企业提供的详细数据以及获奖企业的发展状况,通过科学方法进行了分析,试图从中看出2009年中国集成电路设计业的发展状况,并理清未来发展趋势。 相似文献
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GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造带来了许多问题。在本个,一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。 相似文献
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集成电路的性能越来越受到互连线间寄生效应的影响,特别是耦合电容的容性串扰,容性串扰引起互连线跳变模式相关的延迟。文中从E lm ore de lay定义的角度推导了互连线受同时跳变的阶跃信号激励时开关因子的大小,分析了互连线受非同时跳变的阶跃信号激励时耦合电容对互连线延迟的影响,给出了不同激励时的受害线延迟计算方法。分析表明,开关因子为0和2不能描述耦合电容对受害线延迟影响的下上限。H sp ice模拟结果证明了分析计算的准确性。 相似文献
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在串扰噪声及互连线延迟研究的基础上,分析了串扰延迟的本质以及串扰延迟变化曲线的计算问题;深入探讨了串扰延迟变化曲线和串扰噪声的关系,指出两者并不存在镜像关系,最大串扰延迟变化并不一定对应于串扰噪声尖峰值;研究了几个重要参数对串扰延迟变化曲线影响的灵敏度.全SPICE模拟结果说明了文中分析的正确性和准确性. 相似文献
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半导体器件日益向高频、高速方向发展,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速。在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的。采用X射线多介质工艺制作T形栅,其形貌清晰,线条基本可控,为MMIC制作提供了可靠的工艺。 相似文献