熔融铈快速抛光CVD金刚石厚膜及表面分析

利用熔融稀土铈(Ce)对CVD金刚石厚膜进行了抛光研究.详细讨论了工艺参数对抛光速率和表面粗糙度Ra的影响,获得了最佳抛光工艺.通过对抛光后金刚石膜表面的拉曼光谱(Raman)、俄歇能谱(AES)、扫描电镜(SEM)以及能谱(EDS)的分析,探讨了抛光机理.结果表明:该方法有很高的抛光速率,可达每小时数百微米.抛光后金刚石膜的Ra从10.845μm降低至0.6553μm.抛光的热处理工艺不但没有破坏金刚石表面的原始结构,而且由于铈对石墨的优先刻蚀,抛光后金刚石膜表面的石墨含量还大大减少.     

抛光CVD金刚石的夹具设计及实验研究

热铁盘法抛光CVD金刚石需要在800℃以上的真空环境下进行,抛光过程中金刚石的固定,常采用陶瓷胶粘结的方法,该法在实际使过程中经常出现陶瓷胶粘结不牢而导致金刚石脱落.据此设计出一套高温真空环境下使用的金刚石夹具,在抛光厚度0.7 mm的金刚石时,将其装夹在0.4 mm深的凹槽内,留出0.3 mm左右的高度以供抛光.加载方式可以实现加热过程中无载荷,抛光过程中施加载荷.实验表明,该夹具在抛光过程中,可以实现金刚石的完全固定,并能在273 mm/s的抛光速度条件下稳定工作.在温度800℃,速度273 mm/s,载荷2.54 kg,抛光30 min的条件下,金刚石表面粗糙度可由原始的Ra9.6 μm抛光至Ra0.16 μm.     

材料领域专利申请中的常见公开不充分缺陷以及撰写建议简

《中华人民共和国专利法》第26条第3款中指出“说明书应当对发明或者实用新型作出清楚、完整的说明,以所属技术领域的技术人员能够实现为准”,这是发明专利说明书撰写的基本要求。而只有满足上述要求,说明书才能达到充分公开的要求。如果说明书不能满足上述要求,通常被称之为说明书“公开不充分”。     

(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3 陶瓷、锆锡钛酸铅镧/聚偏氟乙烯-三氟乙烯复合材料的介电性能

用固相烧结法,在1200℃烧结2．5h的条件下,制备了(Pb0.97La0.02)(Zr0.66Sn0.23Ti0.11)O3(PLZST)四方相陶瓷和陶瓷粉末,并将其与聚偏氟乙烯-三氟乙烯[polyvinylidene fluoride—trifluoroethylene,P(VDF-TrFE)]相复合制备了70％(体积分数)PLZST／P(VDF—TrFE)复合材料。用3～4MeV、剂量为60Mrad的电子束对PLZST陶瓷及其复合材料进行处理,测量其辐照前后的介电温谱,研究其弛豫性能的变化。结果表明：电子束辐照对PLZST陶瓷的介电温谱几乎没有影响,没有改变它的非弛豫特征;70％PLZST／P(VDF-TrFE)复合材料由于两相界面间的耦合作用产生微畴而具有弛豫特征,而辐照处理对P(VDF—TrFE)内部铁电宏畴的破坏使得其弛豫性能得到显改善,从而获得了一种良好的弛豫型复合材料。     

己二酸铵对7075-T6铝合金硫酸阳极氧化的影响

研究硫酸电解液中添加己二酸铵对7075-T6铝合金阳极氧化的影响,采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对7075-T6铝合金在不添加和添加己二酸铵的硫酸电解液中制备的阳极氧化膜表面的微观形貌进行分析,采用线性阳极极化研究7075-T6铝合金在两种电解液中的极化行为。利用动电位极化技术和电化学阻抗谱(EIS)研究两种电解液中制备的阳极氧化膜的耐腐蚀性能。结果表明:硫酸电解液中添加己二酸铵可以通过降低电流密度来改善氧化膜的结构,减少氧化膜缺陷,降低微孔孔径,提高阻挡层厚度,从而降低氧化膜的自腐蚀电流密度,提高氧化膜耐腐蚀性能。     

钛酸钡纳米粉的低温合成研究

结合溶胶．凝胶法和水热法的优点，将溶胶处理引入水热法中，采用改进的水热法在低温条件下合成了纯钙钛矿结构钛酸钡纳米粉，并与水热法合成产物进行了适当的比较。通过XRD，TEM，X射线荧光光谱(XRF)，微分扫描式量热法(DSC)以及热重分析(TGA)分析了BaTiO3粉的结构和组成，并初步探讨了溶胶处理的作用。结果表明，采用乙酰丙酮改性的钛酸四丁酯作为Ti源，可有效降低BaTiO3纳米粉的水热合成温度；与常用水热法相比，采用改进的水热法合成BaTiO3纳米粉的温度更低。溶胶处理过程有利于水热合成温度的降低。     

钛合金激光表面改性技术在专利上的研究进展

钛合金具有较低的密度、较高的比强度和耐热性、优异的耐蚀性,然而其易粘着、耐磨性能差等缺点制约了其在摩擦条件下的应用。而激光表面改性处理形成耐磨涂层是提高其摩擦性能的研究热点,本文综述了近年来国内专利在该领域的研究进展,并提出了钛合金激光表面改性技术在专利保护上的技术发展趋势。     

部分熔融Ce-Fe合金低温快速抛光CVD金刚石膜

采用溶碳活性很高的稀土金属Ce和过渡金属Fe熔炼出Ce-7％Fe（原子分数，下同）合金，利用该合金对CVD金刚石膜进行热化学抛光。结果表明：Ce-7％Fe合金在592℃就可以抛光金刚石膜，比报道的稀土抛光温度要低200℃以上；在680℃抛光3h表面粗糙度Ra值由原来的5．95μm降低到0．69μm，抛光效率高达30μm／h；SEM观察表明，抛光使膜的表面光洁度有明显提高；经拉曼光谱检测，抛光没有对金刚石膜造成任何污染。     

Ce-Mn合金低温抛光CVD金刚石厚膜

研究开发了一种低温、快速抛光化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的新技术,该技术是利用金刚石(C)和溶碳活性很高的稀土金属铈(Ce)和过渡金属锰(Mn)所熔炼出的Ce-Mn合金之间的热化学反应,在一定的工艺条件下对金刚石厚膜进行有效的抛光.详细讨论了合金组成对抛光速率和表面粗糙度(Ra)的影响,并且用扫描电镜和拉曼光谱对抛光后的膜表面进行了表征.结果表明:Mn含量较低的合金从抛光率上和抛光效果上考虑都更有利于获得良好抛光的金刚石厚膜,Ce-3%Mn原子比组成的合金,在660℃、抛光2 h的实验条件下,使膜的粗糙度由10.8490 μm降低到3.6826 μm,抛光速率达到37.5 μm/h.适量Mn的加入在降低抛光温度的同时仍然可以保证良好的抛光效果,优化了热化学抛光的工艺,而且该抛光技术不会破坏金刚石厚膜质量.     

材料领域专利申请中的常见公开不充分缺陷以及撰写建议

<正>《中华人民共和国专利法》第26条第3款中指出"说明书应当对发明或者实用新型作出清楚、完整的说明,以所属技术领域的技术人员能够实现为准",这是发明专利说明书撰写的基本要求。而只有满足上述要求,说明书才能达到充分公开的要求。如果说明书不能满足上述要求,通常被称之为说明书"公开不充分"。