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1.
目前工业生产硝酸钠和亚硝酸钠,仍然停留在采用30年代的间歇法,不但生产效率低、能耗大,而且生产规模也小,远远不能满足需要。改为连续化生产后,吸收部分需要数个(一般4~7个)塔串联操作才能达到 NO_x 排放要求,每个塔的塔底中和液中皆含有 NaNO_2,NaNO_3和 NaCO_3三种组分。要使每个塔都处于最佳工作状态,研究这些组分的相互关系是非常必要的。另外,不管是用稀硝酸生产的尾气,还是用废锅出来的高浓度 NO_x 生产硝酸盐,都希望送往加工工序的中和液中盐的含量越高越好,这样可以大幅度降低该工序的能耗。因此,中和液中各种盐的极限含量多少,也是应该解决的实际问题。 相似文献
2.
为提高塑料弯曲性能检测实验室的能力水平,山东非金属材料研究所开展了"塑料弯曲性能的检测"能力验证计划。利用经典法、稳健统计算法A和稳健统计四分位距法3种不同统计方法对塑料弯曲性能检测能力验证统计结果进行比较,评价了塑料弯曲性能检测实验室的整体水平,对可能导致结果偏离的原因进行了分析。结果表明:在能力验证数据统计中,为避免极端数据对统计结果的影响,应尽量采用稳健统计的方法;约有12%的实验室的塑料弯曲能力验证结果存在问题;检测结果的偏差可能跟设备、环境和人员有关。 相似文献
3.
以一种黑色聚乙烯颗粒为研究对象,依据GB/T 19466.6-2009测定样品在220℃恒温时的氧化诱导期,探讨了样品质量、恒温温度、氧气流量等参数对测定结果的影响,并依据JJF1059.1-2012对测定过程中引入的标准不确定度分量进行了评定。结果表明:影响氧化诱导期测定结果的最主要因素是测量重复性和恒温温度,氧气流量和样品质量对测定结果的影响较小;利用差示扫描量热法测定的该聚乙烯氧化诱导期的扩展不确定度U=1.5min(包含因子k=2)。 相似文献
5.
6.
采用自由基聚合法制备了纯的和添加了1.5%(质量分数)沥青的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),用热重(TG)分析和锥形量热仪测试了其热分解和燃烧性能并研究了其热分解动力学。TG分析结果表明,添加质量分数为1.5%的沥青,PMMA在氮气中和空气中的失重速率最大时温度分别由纯PMMA的379.2℃和308.9℃提高至386.2℃和354.7℃,热降解表观活化能显著提高;锥形量热仪测试结果表明沥青使PMMA的点燃时间缩短,燃烧更平稳,加入沥青后,点燃后300 s内的质量损失速率和热释放速率平均值分别由纯PMMA的0.212 g/s和569 k W/m2降至0.191 g/s和514 k W/m2,CO产率和烟释放速率平均值分别由0.009 9 kg/kg和0.027 0 m2/s增至0.012 0 kg/kg和0.036 8 m2/s。沥青提高PMMA燃烧性能的主要原因是抑制了PMMA的热分解。 相似文献
7.
通过显微拉曼(Raman)光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍(Be)原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生长在GaAs衬底(100)面上的GaAs/AlAs多量子阱,阱宽范围从30到200 A,并在阱中央进行了受主Be原子的δ掺杂.在4.2 K液氦温度下,对样品进行了Raman光谱测量,并与光致发光(PL)光谱进行了对比,清楚地观测到了受主原子从基态能级1S_(3/2)(Γ_6)到第一激发态能级2S_(3/2)(Γ_6)之间的跃迁.根据量子力学中的变分原理和打靶法算法,计算了量子阱中类氢受主Be原子1 s到2 s能级间跃迁能量,并和实验结果进行了比较.计算结果表明,受主1 s到2 s能级间跃迁的能量随量子阱宽度减小而单调增加,并且与实验结果符合较好. 相似文献
8.
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体薄膜的禁带宽度,结合软件模拟计算AlxGa1-xN薄膜的弯曲因子b,测定了Alx Ga1-x N薄膜中的Al元素含量,同时采用卢瑟福背散射技术测定Alx Ga1-x N薄膜中的Al元素含量。结果显示,Alx Ga1-x N薄膜的激发光谱和吸收光谱测得的禁带宽度一致,说明Alx Ga1-x N薄膜中不存在斯托克斯移动,由Material Studio软件计算得到弯曲因子b为1.01eV,符合理论值;在卢瑟福背散射测量中,模拟谱和随机谱重合较好,能够准确测得Al元素含量。两种方法测定的Alx Ga1-x N外延膜样品中的Al组分含量基本一致,光致发光法结果比背散射法结果稍大,而且Al含量越小,测量结果越吻合。 相似文献
9.
采用深紫外光致发光技术测量AIxGa1-xN半导体薄膜的禁带宽度,结合软件模拟计算AIxGa1-xN薄膜的弯曲因子b,测定了AIxGa1-xN薄膜中的Al元素含量,同时采用卢瑟福背散射技术测定AIxGa1-xN薄膜中的Al元素含量。结果显示,AIxGa1-xN薄膜的激发光谱和吸收光谱测得的禁带宽度一致,说明AIxGa1-xN薄膜中不存在斯托克斯移动,由MaterialStudio软件计算得到弯曲因子b为1.01eV,符合理论值;在卢瑟福背散射测量中,模拟谱和随机谱重合较好,能够准确测得灿元素含量。两种方法测定的AIxGa1-xN外延膜样品中的A1组分含量基本一致,光致发光法结果比背散射法结果稍大,而且Al含量越小,测量结果越吻合。 相似文献
10.