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SiCN薄膜的制备及其性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析。结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si-C、Si-N和C-N键;而在高温下(衬底温度为800℃),薄膜中含有SiCN的晶体成分。此外,还利用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了研究,并进一步研究了样品的场发射性能。在场强为24V/μm时,最大发射电流可达3.3mA/cm^2。 相似文献
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1.实验装置 本实验在实验室建立的全透明蓝宝石高压相态测试装置上进行。该装置的关键部分为高、低温控温箱,能实现富天然气露点测试所需的低温环境。本装置主要由高压釜、恒温空气浴及搅拌装置等部分组成。 相似文献
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