用于制备ZnO薄膜的金属有机化学气相沉积设备的研制

介绍了一种制备ZnO薄膜的金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,制备的ZnO薄膜主要用作太阳能电池的背反射电极。该设备的极限压力可达5×10-5 Pa,膜厚均匀性偏差在5%以内,薄膜电阻率约为10-2Ω.cm。本文叙述了设备的用途,技术性能,工作过程和结构特点。并对ZnO薄膜的电阻率与参加反应的水蒸汽流量的关系进行了简单介绍。     

等离子体增强化学气相沉积设备的研制

本文介绍非晶硅薄膜太阳能电池生产线的核心设备——等离子体增强化学气相沉积(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)系统,并阐述了其重要地位.非晶硅太阳能电池制造的关键技术是非晶硅薄膜的制备,目前最常见的制备方法是PECVD技术.PECVD技术凭借其低温沉积、可大面积成膜、成膜均匀等特点,在非晶硅薄膜制备方面迅速发展.PECVD系统用于制备非晶硅太阳能电池的关键结构P、I、N硅薄膜层.本文阐述了该设备的结构特点、技术指标、工作原理及工艺过程,对沉积室的结构和配置进行了详细设计计算,非晶硅太阳能电池稳定后的转化效率可达6％.     

聚酯振膜镀膜用磁控溅射设备

本文介绍了一种在PET材料上镀制Ni膜的磁控溅射镀膜设备的结构及特点,解决了PET材料无法在高温环境中镀膜的问题.具有操作方便、成本低、生产效率高、膜层质量好及膜层制备可重复性好等特点.在实际生产中取得了良好的效果,有广阔的应用前景.     

金属屏蔽罩对柔性衬底微晶硅太阳电池特性的影响

通过改变硅烷浓度,采用等离子体增强化学气相沉积方法制备了在有无金属屏蔽罩两种情况下的系列微晶硅太阳电池,发现将金属屏蔽罩去除后,本征微晶硅材料的沉积速率提高约一倍,微晶相至非晶相的硅烷浓度转变点有所变化。将沉积条件应用于不锈钢柔性衬底的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,获得了9.28%(AM0,1353 W/m2)和11.26%(AM1.5,1000W/m2)的光电转换效率。