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1.
本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α-Si3N4晶须,晶须生长温度为1400~1450℃,恒温1~4h。讨论了在晶须生长过程中,不同的保护气氛对晶须质量的影响。当晶须在高纯N2气氛中生长时,得到的晶须中氮含量为32%~34%,氧含量为8%~6%,氯含量为0.1%左右。这类晶须中存在着大量的缺陷。当晶须在NH3气氛中生长时,得到的晶须中氮含量为39%左右,氧含量为1%,氯含量为0.01%,在这类晶须的透射电镜照片中几乎看不到缺陷。
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2.
本文采用无定形氮化硅超细粉制备α-Si_3N_4晶须和晶柱,并对生长温度对晶须中的缺陷的影响进行了研究。结果表明:晶须生长时能否得到完整的晶体,与其生长温度有关,只有某一温度范围(1430℃±30℃)生长时,才能得到比较完整的晶体,晶须的生长温度太高或太低均会引起晶体生长的不完整性,晶须中会出现大量的缺陷,温度继续升高时,在晶须中又出现了晶粒,继而生长成晶柱。
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