西安脉冲堆~3He快中子夹心谱仪的方案设计

本文介绍了3He快中子夹心谱仪的气体填充、探测器、三通道数字符合和数据分析处理系统,描述了探测器系统的理论分析及实验标定方法,提出了谱仪符合本底计数的来源,绐出了扣除几种符合本底的理论和实验方法,研究结果表明本工作可指导3He快中子夹心谱仪的深入研究.     

半导体断路开关(SOS)特性研究

本文描述了半导体断路开关(SOS)的制作及性能测试。制作方法采用普通二极管类似的扩散工艺．但其制作工艺的关键在于深结的扩散。在pn结足够深时才能产生SOS效应。描述了制作过程并采用脉冲电路测试了所研制的SOS器件的电学性能。测试结果表明所研制的样品性能达到了与国外水平。     

19种核素的复合参数K_0值的测定

本文介绍反应堆中子活化分析中核素的复合参数K_0因子的测量方法及简要原理。给出了19种核素的K_0实测值。结果与文献值作了比较,对大多数核素而言,在5％内吻合。     

129I人工嬗变实验中自膨胀密封靶制备技术研究

本文首次提出并实践了一种利用铝的热膨胀特性密封制备人工嬗变实验碘靶的技术。在西安脉冲反应堆上进行的¹²⁹I人工嬗变实验要求靶的尺寸小、漏率低。将冷冻收缩的铝封堵头迅速置于室温下的铝靶壳顶部,待封堵头升温膨胀后自动对靶进行密封。该方法简洁易行,无高温焊接过程,不会改变靶芯的形态,制靶成本较低。同时,制靶材料在热分析时不会释放多余气体,耐温达600 ℃。采用6061铝经多次实验得到了自膨胀密封靶各部件匹配尺寸的经验公式。所制作的4个正式靶背压检漏漏率均好于5×10^-9 Pa•m³/s,满足实验要求。     

应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟

通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及Si PMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGe PMOSFET垂直结构参数的变化关系。模拟结果同理论分析符合一致,表明应变SiGe沟道PMOSFET的亚阈值特性比Si PMOSFET更差,并且对垂直结构参数敏感,在器件设计时值得关注。     

ZnO(In)闪烁体在α粒子辐照下的发光特性

采用241Am-α源研究了ZnO(In)样品(购自美国Cermet Inc.公司)的发光和表面光输出特性、α粒子能谱响应和单脉冲时间响应,同时对EJ212、BC418、ST401、CeF3等闪烁体进行了比较测量。实验发现,ZnO(In)样品在α粒子轰击下,两表面的光输出相差3～5倍,显示出表面不同的光学性质。测试结果表明,ZnO(In)晶体对α粒子的能谱响应波形光滑,发光效率仅次于有机闪烁体,对单粒子脉冲时间响应快,是超快脉冲射线束探测较理想的闪烁元件。     

基于中子活化分析的129I嬗变率测量方法实验研究

基于中子活化分析（NAA）,建立一种简便可靠的¹²⁹I嬗变率测量方法。采用¹²⁷I制作模拟靶件,利用1个参比靶件与两个嬗变模拟靶件同时照射,测量¹²⁸I特征γ射线强度之比,并根据比值计算嬗变率。实验结果验证了方法的可行性,为¹²⁹I的高注量率反应堆嬗变率测定提供了技术支持。     

氮化硅-铼嬗变模拟靶材的制造和性能研究

采用无压烧结的方法(在1550℃保温3小时)添加5wt.％MgO,5wt.％Y2Oa和不同含量的Re制造出了Si3N4-Re嬗变模拟靶材.研究了Re含量的不同对嬗变靶材致密度和抗弯强度的影响,并通过物相分析,显微组织和断口形貌观察对相关机理进行了分析.     

西安脉冲反应堆超设计基准事故动态特性分析

为填补以往西安脉冲反应堆(脉冲堆)超设计基准事故研究的不足,利用RELAP5/SCDAP/MOD3.4程序对脉冲堆系统进行了建模计算,给出了脉冲堆在断电ATWS事故和大破口失水ATWS事故下的瞬态响应特性。计算结果表明:发生断电ATWS事故后,在无人为干涉情况下,反应堆部分燃料可能熔毁;发生大破口失水ATWS事故后,破口位置和尺寸对事故后果的严重程度有重要影响,破口位置在堆池底部时,燃料最高温度低于1 800℃,而破口位置高于堆芯下栅板时,将导致燃料元件熔毁。根据脉冲堆在超设计基准事故下的动态响应,针对两种事故工况分别提出了相应的缓解措施。     

西安脉冲堆放射性实验物品暂存库剂量场计算

利用γ射线屏蔽计算公式和蒙特卡罗程序分别对暂存库屏蔽厚度和库内剂量情况进行了计算,结合Matlab软件对计算结果进行了分析和处理,得到了放射性实验物暂存库内剂量场分布和剂量等势线,为废物暂存库的使用提供了参考。