真空镀膜法制备纳米铝颗粒膜及其表面等离激元共振特性研究

采用直流磁控溅射镀膜技术制备了纳米铝颗粒膜,并尝试通过两种方式获得纳米铝的表面等离激元共振吸收峰,一种是先在室温石英基底上沉积纳米铝,再进行真空退火;另一种是在热石英基底上沉积纳米铝.用透射电镜和扫描电子显微镜、X-射线光电子谱、紫外-可见吸收光谱表征了样品的形貌和晶态结构、成份和吸收特性.采用比对的方式,研究了基底温...     

ICP刻蚀Si／PMMA选择比工艺研究

为了将聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）上的图案等比例的转移到硅基材料上,对基于感应耦合等离子体技术（InductivelyCoupledPlasma,ICP）的si和PMMA的刻蚀速率进行了研究。结合英国牛津仪器公司的ICPl80刻蚀系统,以SF6和O2混合气体为反应气体,研究了在其他参数相同的情况下,不同气体比例对两种材料刻蚀速率的影响,得到刻蚀速率随气体比例变化的曲线,并得出了对于Si和PMMA刻蚀速率相同时的气体比例。实验发现,如果增加反应气体中sR的比重,会加快Si的刻蚀速率而降低PMMA的刻蚀速率,反之,若降低SF6的比重而增加O2的比重,则会相应降低Si的刻蚀速率而增加PMMA的刻蚀速率。据此,通过调节反应气体的比例,实现对Si和PMMA的同速率去除。     

触摸屏用低方阻PET导电薄膜镀膜工艺研究

触摸屏加工需要使用的导电薄膜材料主要以ITO导电玻璃和ITO导电薄膜为主,随着触控终端的轻薄化,PET导电膜的应用越来越广,目前常规导电膜材料在应用于中大尺寸触摸屏产品时,会产生延迟及触摸不灵敏的情况。从镀膜工艺角度出发,研究在PET上进行低方阻ITO溅射,测试结果表明,低阻ITO薄膜性能稳定可靠,工艺量产可行,产品性能可以满足市场需求。