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叙述了热损补偿型铝吸收剂量量热计的结构及测量原理,给出了量热计在10-35℃工作温区的电加热标定因子,得到了60Coγ辐照室中剂量率对距离的分布。 相似文献
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改性溶胶-凝胶法制备ZrO_2纳米晶粉及其团聚控制 总被引:7,自引:0,他引:7
对溶胶 -凝胶法进行改性 ,使凝胶聚沉为沉淀物 ,进而可以成功地合成ZrO2(9%Y2O3)纳米粉体。采用热重 -差热(TG -DTA)分析、粒度分布分析、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)测试法对粉料制备工艺过程进行了研究。结果表明 ,改性的溶胶 -凝胶法在聚沉前加入分子量大小不同的表面活性剂 ,聚沉后采用无水乙醇超声分散 ,可以有效地消除团聚现象。沉淀产物在450℃以下可以完全分解为ZrO2(Y2O3)粉体 ,600℃煅烧颗粒晶粒度为14nm。 相似文献
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高补偿硅的阻–温特性 总被引:5,自引:2,他引:3
采用5Ω·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅.笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104Ω·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K).测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质. 相似文献
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高补偿硅的光敏感特性 总被引:2,自引:1,他引:1
对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。 相似文献
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利用矩法对能量从0.5~8 MeV的电子束在硅中的能量损耗分布作了理论计算。并对相应的轫致辐射能损分布作了近似计算。得到了硅中吸收剂量对深度的分布。 相似文献
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