Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究

利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量x的Fex(SiO2)(1-x)金属-绝缘体颗粒膜,系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理。在室温和1.3 T的磁场下,当体积分数为0.52时,霍尔电阻率有最大值为18.5 μΩ·cm。样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,饱和霍尔电阻率随温度的变化不大,样品具有良好的热稳定性,这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在300℃下的温度范围内有较好的应用前景。     

Fe—SiO2颗粒膜的磁和隧道磁电阻效应

采用射频共溅射方法制备了不同金属体积分数fv的Fe-SiO2颗粒膜,利用X射线衍射、透射电镜、Mossbauer效应和振动样品磁强计详细研究了薄膜的结构、磁性及磁电阻效应.结果表明fv为0.33时,得到磁电阻最大值-3.3%.Fe033(SiO2)067样品在室温下表现出超顺磁性,对该样品的变温Mossbauer谱研究表明颗粒的尺寸分布满足对数正态分布.探讨了TMP与Fe的依赖关系.     

纳米多晶La0. 7Sr0.3MnO3磁性相变临界行为研究

用溶胶一凝胶方法制备了纳米多晶La0.7Sr0.3MnO3样品.测量了不同温度下烧结的样品的零场冷却交流磁化率与温度和直流磁场的依赖关系.通过对铁磁-顺磁转变点附近临界峰的分析,得到973K烧结的多晶样品居里温度为312.1K±0.2K,临界指数为:δ=3.040,γ=1.007,β=0.493;1173K烧结的多晶样品居里温度为331.7K±0.1K,临界指数分别为:δ=2.950,γ=0.993,β=0.508.两组数据均与平均场理论预言结果一致,表明纳米多晶La0.7Sr0.3MnO3样品在磁性相变点附近存在长程相互作用.     

Gd掺杂FeCo薄膜的磁性和磁化反转机制研究

采用直流磁控共溅射方法制备了Gd掺杂FeCo磁性薄膜。XRD测量结果表明,随着溅射功率的增加其结构发生从纳米晶到晶态的转变。研究了磁性随温度的变化规律,结果表明,在温度降到120K左右,晶态样品存在由面内单轴各向异性向具有垂直各向异性转变的自旋重取向(SRT)现象。而纳米晶态样品在温度降到能够达到的最低温度100K时仍然没有出现SRT。对纳米晶薄膜矫顽力的角度依赖性研究表明,当外磁场靠近易轴附近时反磁化机制为畴壁成核或者畴壁钉扎,当磁场靠近难轴时的反磁化机制为一致转动。     

La0.7Sr0.3MnO3磁性的Preisach模拟

用溶胶-凝胶法制备了多晶La0.7Sr0.3MnO3,块状样品.利用超导量子磁强计测量了样品在不同状态下的场冷却、零场冷却、等温剩磁、热剩磁曲线以及磁滞回线,分析得到了样品的技术磁化参数.用相同的-套参数,利用基于双势阱的Preisach模型再现了样品所有的磁测量曲线,得到了耗散场的大小和分布.     

CoFe_2O_4/Co_3Fe_7-Co纳米核壳结构的微波吸收性能

利用溶胶-凝胶法制备了不同粒径的CoFe_2O_4纳米颗粒,再通过H_2热还原法在颗粒表面形成Co_3Fe_7-Co磁性金属纳米壳层,研究不同退火温度、相同还原温度下不同样品的静态和动态磁性.结果表明,还原后样品的饱和磁化强度以及分别代表介电损耗和磁损耗的复数介电常数的虚部和复磁导率的虚部都得到提高,且通过线传输理论计算得到,纳米核壳结构CoFe_2O_4/Co_3Fe_7-Co可有效提高材料的微波吸收性能.     

稀土Nd掺杂FeCo纳米磁性薄膜的结构和磁性

利用射频磁控共溅射方法,通过改变Nd靶溅射功率,制备了一系列Ta/Ndx(FeCo)100-x/Ta纳米薄膜。研究了其结构和磁性随Nd含量和真空磁场退火温度(T)的变化关系。X射线衍射研究表明制备态的薄膜为非晶态,随着退火温度的升高,逐渐析出Fe-Co纳米晶,随T的进一步升高,FeCo纳米晶粒逐渐变大,而且在薄膜中生成了FeCoNd合金纳米晶。利用振动样品磁强计研究了纳米薄膜的静态磁性,结果表明,饱和磁化强度随着Nd含量的升高而降低。经真空磁场热处理的样品都表现出很好的面内磁各向异性,在Ta/Nd20(FeCo80)/Ta样品中获得了易轴矫顽力135.32A/m,难轴矫顽力为199A/m,各向异性场为8166.96A/m的优异静态磁性,表明在高频领域具有很好的潜在应用前景。     

Fe—SiO2颗粒膜中的磁电阻效应和霍耳效应

利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属体积分数fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜.系统地研究了薄膜的微结构、磁性、隧道磁电阻效应(TMR)和巨霍耳效应(GHE).在fv=0.33处得到最大磁电阻值为-3.3%,fv=0.52处饱和霍耳电阻率达最大值,为18.5μΩ·cm.在300℃以内的不同温度下将Feo0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,霍耳电阻率随温度的变化不大,即样品具有良好的热稳定性.这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在工作于300℃下的磁场传感器方面有很好的应用前景