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二维材料中的激子跃迁和能谷极化过程具有丰富的能谷物理特性,因此具有极大的研究价值.本文发现,单层和双层WS2中激子和能谷特性可以通过耦合不同掺杂浓度的AlGaN进行有效调控.当WS2和n型AlGaN耦合时,会出现显著的激子能量红移.值得一提的是,来自AlGaN的层间电荷转移作用会促使双层WS2形成II型能带,进而产生层间激子跃迁.层内激子峰和层间激子峰的能量和强度还可以通过双层WS2中的转角进行调控.在13 K条件下,通过耦合n型AlGaN,单层WS2的谷极化率高达82.2%.这是由于AlGaN的电子-声子相互作用会带来更高的激子衰减速率,且掺杂导致的载流子屏蔽效应会减少层间谷散射.层间激子的谷极化率明显高于层内激子,这是由于在层间激子中电子-空穴相互作用较弱,导致层间谷散射受到抑制.本文提出了一种简便有效的方法来调控二维材料的激子特性,在单层WS2中实现了极高的谷极化,并在双层WS2中诱导出层间激子.这些发现将激发谷激子物理学的创新... 相似文献
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采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴-乙醇腐蚀的HgCdTe体单晶片的表面二次电子衬度像。观察表明,研磨造成的晶片表面可见损伤,经机械和溴-乙醇化学抛光后将减少和去除。然而,化学抛光却造成个别表面凹陷和凸出,这些凹凸可能是溴-乙醇对表层夹杂物和基质的腐蚀速度不同所致。 相似文献
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Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。 相似文献
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With recently developed InN epitaxy via a controlling In bilayer, spectroscopic ellipsometry (SE) measurements had been carried out on the grown InN and the measured ellipsometric spectra were fitted with the Delta Psi2 software by using a suitable model and the dispersion rule. The thickness was measured by a scanning electron microscope (SEM). Insight into the film quality of InN and the lattice constant were gained by X-ray diffraction (XRD). By fitting the SE, the thickness of the InN film is consistent with that obtained by SEM cross-sectional thickness measurement. The optical bandgap of InN was put forward to be 1.05 eV, which conforms to the experimental results measured by the absorption spectrum and cathodoluminescence (CL). The refractive index and the extinction coefficient of interest were represented for InN, which is useful to design optoelectronic devices. 相似文献
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采用椭圆偏振光谱法,在1.50~6.50 eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。提供了GaN薄膜在1.50~6.50 eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。 相似文献