定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究

本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应，实验研究表明，这种膜的压阻因子在200微应变，室温下约为1300．其值大大超过了单晶硅的相应值，这是因为外延膜中缺陷态降低并且改进了测试方法，文中还简单讨论了金刚石膜压阻效应的起因．     

离子束外延生长半导体性锰硅化合物

利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 结晶更好     

离子束外延生长（Ga,Mn,As）化合物

利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了（Ga,Mn,As）化合物。补底温度523K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为30nm的外延层,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里,注入深度约为160nm。补底温度为523K时获得了Ga5.2Mn相,补底温度为673K时获得了Ga5.2Mn、Ga5Mn8和Mn3Ga相。在1113K条件下对673K生长的样品进行退火,退火后样品中原有的Mn3Ga消失,Ga5Mn8峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn仍然存在而且结晶更好,并出现Mn2As新相。     

质量分离的双离子束沉积法生长CeO2（111）／Si薄膜

利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度（400℃）下对CeO2(111)/Si(100)薄膜的生长进行了研究,两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响。较高能量（300eV)的离子束对薄膜有轰击作用,并有助于薄膜的择优取向生长,在400℃时,制备了CeO2(111)/Si(100)单晶薄膜。     

离子束外延生长半导体性锰硅化合物

利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物,Mn27Si47和Mn15Si26.俄歇电子谱深度组分测量结果表明,在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn,另一部分Mn离子成功注入进Si基底里,注入深度为618nm.在840℃条件下在流动N2气氛中对生长样品进行退火,X射线衍射结果表明退火后Mn27Si47和Mn15Si26结晶更好.     

在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

室温下在ｐ－Ｓｉ（１００）上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ测量表明了ＺｎＯ是高度ｃ轴单一取向生长的,ＸＲＣ测量则表明了ＺｎＯ的高质量在室温下的ＰＬ测量中见到了带边发射,其强度与晶体质量有关。     

MSIBD金刚石颗粒的电子显微镜研究

金刚石在很多领域有着广泛的用途[1] ,因而金刚石的生长技术历来受到重视。在众多的生长技术中 ,质量选择粒子束 (ＭＳＩＢＤ)是一个引人注目的生长技术[2 ] 。但是这一方法能否得到金刚石 ,尚未有明确的结论。我们利用高分辨电子显微镜结合电子能量损失谱 ,观察了用这一方法制备的样品 ,以期为研究金刚石的生长机理提供更多的线索。实验碳离子沉积在 (111)硅衬底上 ,沉积方法另文介绍[2 ] 。离子能量 10 0 0ｅＶ ,衬底温度 80 0℃。电镜观察用的平面和截面样品用通常的方法制备 ,具体如下 :样品粘在 3ｍｍ的铜圈上 ,先用ＳｉＣ砂纸磨薄 ,然…     

金刚石的场致发射

报道了金刚石膜的低电场、大电流阴极电流现象，总结了几种不同类型样品结构的发射机理，提出了增强发射电流、提高发射稳定怀的方法，综述了和种影响发射电流的因素，提出了较为统一的发射电流表达式，使得金刚石的发射电流符合Ｆ－Ｎ理论。