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相变存储器是目前最具潜力的新式存储设备之一,其存储性能主要取决于相变材料的结构-性能关系,因此结构表征对于相变存储非常重要。透射电子显微镜(TEM)是表征材料形貌、结构的重要手段,但是高能电子束会对材料的结构造成暂时或永久性的影响,这种影响也为表征非晶相变材料带来了极大的挑战,包括已经商业化的Ge SbTe合金。利用原位TEM系统地研究了电子束辐照对Ge Sb_2Te_4非晶薄膜样品的影响,发现非晶薄膜在较大电子束束流强度下会发生结晶化,而降低束流强度将能够有效保持非晶的稳定性。量化了电子束束流诱发Ge Sb_2Te_4非晶薄膜晶化的阈值,给出了电子束流强度和辐照诱导相变时间的关系,为利用TEM研究Ge SbTe非晶材料的结构与性能提供了有效的安全界限。 相似文献
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