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提高平面型晶体管击穿电压的方法主要有场极板、电场限制环、耗尽区腐蚀和离子注入等.几年来,我们在如何实现平面结构晶体管的高耐压性能方面做了些工作,认为,不管是NPN型还是PNP型晶体管有效易行的方法均是场极板加等位环的组合结构.对两种结构分别做了加场极板和不加场极板的对比试验,结果表明,场极板结构对提高器件的击穿电压是非常有效的,而分压环结构则不易控制,效果也不明显.本文将以目前彩色电视机使用较多、难度较大的硅PNP高压功率品体管(2 SA940)为例,讨论带场极板和等位环组合结构晶体管的设计和制造,并通过计算机模拟比较理论和试制结果. 相似文献
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电化学腐蚀自停止制备SiO2上的Si膜的机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文将介绍制备厚度可控的SOI/SDB材料的新方法,重点讨论电化学腐蚀Pn结自停止效应的机理。 相似文献
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重点介绍Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜的特性,特别是CdS和CdSe。利用密封空间汽化传输技术制作的CdS薄膜具有低的电阻(300K时,σ为0.88~1.34Ω^-1·cm^-1)、高的载流子迁移率。X射线衍射仪分析表明:在(002)面择优生长,薄膜特性与制膜工艺有明显的关系,淀积后的退火和就地腐蚀能增大晶粒尺寸,减少晶粒边界。同时介绍了CdSe太阳电池的特性。 相似文献
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半导体激光器是激光器中的一种,它的制造技术有分子束外延、液相外延、金属有机物化学气相淀积、低压金属有机物化学气相淀积和化学束外延等.结果表明,器件特性与制备方法有关.例如:利用金属有机气相外延生长的GaAs/GaAlAs异质结,可以制造高精致的大功率激光器,其波长为780~880nm.用具有特殊波导特性的质量阱(QW)结构能满足大功率需要.各种参量包括这些层的结构和配合以及多层结构的光、电特性,通过该方法大面积生长外延层而达到最佳化.本文重点介绍上述技术的生长机理、实验系统简图、典型工艺以及在器件制造上的应用. 相似文献
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LB膜是新一代的超薄有机膜,利用LB技术可以制成半导体、绝缘体等各种超薄有机膜。通过对硬酯酸LB绝缘膜的击穿特性粗浅的讨论,可以看出LB绝缘膜确是一种绝缘强度高、缺陷密度低的优质薄膜。 相似文献