电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究

近年来,P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定,N型太阳电池逐渐走向产业化.基于N+ Np+型铝背结单晶硅太阳电池,研究了电阻率为1 ～5.5 Ω·cm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别,可以有效的节省成本.通过选用不同电阻率的N型硅片,经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池,采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源Ⅰ-Ⅴ测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量.实验结果表明:虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高,但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异.     

SEMI光伏标准介绍

本文将对SEMI标准委员会的运作方式、SEMI标准的制定流程进行概述,针对SEMI中国光伏标准委员会活动以及中国光伏企业参与SEMI光伏标准情况进行详细介绍.     

压敏电阻器电气特性综合测量仪

介绍一种压敏电阻器电气特性测量仪．本仪器在恒流状态下测量压敏电压，在恒压状态下测量漏电流，用积分比较式除法器测量压比．设计了一种时序电路，可对上述３个参数进行自动测量，并提出了仪器向智能化方向发展的设想     

双向触发二极管的研制

双向触发二极管是利用双向闸流管原理设计出来的。它具有二极管的外形、双向可控硅的特性曲线,又能起到开关的作用,所以称它为双向触发二极管。双向触发二极管是一种用途很广的器件,它适用于多种形式的电路,在可控硅控制的电路中是一个触发元件、其典型的应用电路如图1所示。该电路是由负载电阻R_L、可调电阻R_1、电容C_1、双触发二极管Diac和双向可控硅五个元件组成的.此电路可以通过改变可调电阻R_1的阻值,来改变电容C_1的充电时间,以调整Diac的导通角。当C_1的电压达到Diac的     

PECVD沉积双层SiNx对太阳电池性能的影响

提出了一种简单有效的制备双层SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的减反射钝化特性。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,通过控制SiH4和NH3气体流量比,在p型多晶硅衬底上生长单层及双层SiNx膜。随后使用薄膜测试分析仪测量了薄膜的厚度、折射率及反射率,并用Semilab WT-2000测量少数载流子寿命,通过测量量子效率,对单、双层膜电池进行了比较。实验结果表明:相比单层减反射钝化膜,采用双层SiNx膜,少数载流子寿命可以得到更好的改善,开路电压可提高约2 mV,短路电流可提高约40 mA,电池效率能提高0.15%。     

假设检验问题分析

从简单的实例入手探讨假设检验的基本思想和假设检验的基本步骤,并对建模中的原假设的选择、所需样本数据个数、检验功效的判断等问题作了分析研究.     

晶体硅片上激光打孔的研究

背面接触太阳电池越来越多地被人们关注,这种电池增加了使用激光器在硅片上打孔工艺。选用了半导体激光器作为光源在晶体硅片上进行打孔实验。通过调节激光器的功率、离焦量、脉冲重复频率等参数并分析其对打孔的影响。在激光打孔后,对硅片使用显微镜测试来分析打孔大小、形貌和损伤区,并优化打孔的参数。通过实验证实孔的入孔直径和出孔直径都随激光能量的增大而增大。随着离焦量的增大,出孔直径先增大后减小,且出孔直径越大时孔附近的破坏区域越小。脉冲重复频率的变化由于影响激光能量而影响孔径。另外,脉冲重复频率过大时,激光能量仍然比较大,但却打不穿硅片。