半导和非半导性BaTiO_3陶瓷电声像衬度来源的差异

利用ＳＥＡＭ技术对半导和非半导性的ＢａＴｉＯ３陶瓷材料进行了电声成像观察研究．在半导性的这种材料电声成像中，由于掺杂的作用削弱和屏蔽了样品本身电学性能参数变化对电声像衬度的贡献，使得热波耦合机制起到主要作用；在非半导性的这种材料电声成像中，其电学性能参数的变化决定了电声像衬度的不同．     

利用SEAM技术对电畴结构的直接观察

利用国际上近几年发展起来的扫描电子声显微镜技术，对ＢａＴｉＯ３铁电陶瓷材料及其单昌进行电子声成像实验。结果表明；利用扫描电子声显微镜技术在不对样品表面进行任何处理的情况下，可直接对电畴结构进行观察。     

扫描电子声显微镜的成像机理及其应用

扫描电子声显微镜是近几年国际上发展起来的一种新型的显微微观察与成像工具，由于它的成像机理与以往的扫描电镜完全不同，特别是它能进行非破坏性的揭示样品亚表面特性的能力。因此，正越来越多的受到人们的重视与研究。本文主要介绍了扫描电子声显微镜的发展历史，简述了电子声成像技术的基本工作原理。     

铁电半导体陶瓷材料电声成像中电声信号的产生

本文利用扫描电声显微镜成像技术对铁电半导体陶瓷材料进行了无损成像观察和分析。通过对不同条件下获得的电声像的讨论，得出在这种材料的电声成像中，热波耦合机制和压电耦合机制对电声信号的产生均有着贡献，但热波耦合机制占主导地位。另外扫描电声显微镜在对材料的亚表面缺陷无损观察方面有着其它观察手段所无法比拟的优点。     

GaAs光阴极材料的液相外延

利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、平直、厚度均匀,载流子浓度达7.6×10~(16)cm~(-3),少子扩散长度达2.1μm。     

BaTiO3晶体的电畴结构和单畴化方法

BaTiO3晶体的光折变应用之前，必须对晶体进行单畴化处理．根据BaTiO3晶体中90°电畴结构和包裹体之间的关系，我们找到一种在晶体极化之前就能有效地检查出BaTiO3晶体中包裹体的方法．根据BaTiO3晶体中90°电畴和180°电畴的形成特点，既可以让晶体以缓慢速度降温通过顺电-铁电相交点（1℃／15min），消去BaTiO3晶体的90°电畴，也可以用在α轴方向上施加一定的压力消去BaTiO3晶体的90°电畴．180°电畴可以在晶体的温度接近居里点时，通过在（001）面上施加1～3×105V／m的电场来消除     

扫描电声显微镜图像质量的提高

本文建立了数字电声像的采集装置。在扫描电声显微镜系统中采用了数字扫描发生器，代替了原来的模拟扫描发生器，从而实现由计算机控制电子束在试样上的扫描。通过数字图像处理，明显提高了电声像的信噪比，改善了电声像的质量。新系统还可以方便地对电场的像进行优化、储存和打印处理。     

铁电半导体陶瓷材料电声像中电声信号的产生

本文利用扫描电声显微镜成像技术对铁电半导体陶瓷材料进行了无损成像观察和分析。通过对不同条件下获得的电声像的讨论，得出在这种材料的电民像中，热液耦合机制和压电耦合机制择电声信号的产生均有着贡献，但热液耦合机制占主导地位。另外扫描电声显微镜在对材料的亚表面缺陷无损观察方面有着其它观察手段所无法比拟的优点。     

扫描电声显微镜中干扰信号及假信号的预防

本文对扫描电声显微镜电声成像中出现的干扰信号以及假?信号的产生进行了讨论. 指出扫描电声显微镜设备周围存在的高强度电场、磁?场、高频设备和仪器本身的接地是造成干扰信号出现的主要原因, 同时给出了一种能有效防止以上干扰的样品---探测器组件结构. 而在电声像中假信号产生?的原因则主要是由于样品和探测器接地不当所引起. 在进行电声成像观察和记?录时最好关掉电镜的对比度旋钮.