SiC纳米复合涂层的制备及特性

SiC纳米复合涂层是一种新型的陶瓷材料.介绍了湿胶化学法和激光熔覆法两种最容易的制备方法,同时还讨论了SiC纳米复合涂层不同于其它常规涂层的特性,如涂层与基体之间的强粘结性、涂层致密性和高热辐射性等,最后分析了SiC纳米涂层的应用前景和未来的发展空间.     

杂质气体对二氧化碳驱影响模拟研究

二氧化碳驱是一种行之有效的提高采收率的技术,为设计经济可行的二氧化碳驱方案,需要对二氧化碳中的杂质气体对原油相态和驱替效果的影响进行研究。在实验基础上建立了纯二氧化碳——原油体系模型,计算不同杂质气体对该体系的相态影响;采用细管实验和状态方程方法确定最小混相压力,分析杂质气体对最小混相压力的影响;通过拟合长岩心纯二氧化碳驱替实验数据,计算了不同杂质气体对驱替过程的影响。研究结果表明,氮气和甲烷的混入不利于原油降粘和膨胀;最小混相压力随氮气和甲烷摩尔分数的增加而增加,随中间烃组分摩尔分数的增加而降低;中间烃组分能使二氧化碳的驱油效率增加,而氮气和甲烷的存在使驱油效率降低。     

SiC纳米线的制备及其发光性能的研究

采用热蒸发法,以SiO与活性碳混合粉末为原料在1400℃的条件下制备出SiC纳米线.通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、能谱仪（EDS）及X-射线衍射分析（XRD）等手段对制备的SiC纳米线进行了表征及生长机理分析.研究表明：SiC纳米线表面光滑、平直,沿[111]方向生长,直径为30～60nm,长约数十微米,内部为约数十纳米的SiC晶体层外部约为2nm的SiO2层的异质机构.SiO作为硅源时的SiC纳米线产量高于其他硅源.最后通过光致发光（PL）光谱研究了SiC纳米线的PL特性.     

磁性CuFe2O4纳米棒的合成及其芬顿反应降解刚果红性能的研究

以α-FeOOH纳米棒为模板,通过高温烧结法制备了磁性CuFe2O4纳米棒,并研究其芬顿氧化降解刚果红染料的性能。结果表明CuFe2O4纳米棒在150min内可以有效降解90%以上的刚果红染料,经过5次循环后,降解率并无明显下降,同时还考察了其他反应条件对降解率的影响。这种新型磁性芬顿试剂在水处理方面有较好的应用前景。     

双偏压辅助HF-PECVD沉积纳米金刚石薄膜工艺参数的AFM分析

采用双偏压辅助热丝一等离子增强化学沉积系统制备了纳米金刚石薄膜.采用AFM、SEM、Raman等考察了不同工艺条件对纳米金刚石薄膜形貌、粗糙度、内部结构等的影响.结果表明,热丝温度降低,所形成薄膜的晶粒尺寸变大,薄膜表面高低起伏较大,粗糙度也随之增大;随着射频输出功率的增大,等离子体轰击基底的能力增强,但过大的功率会使构成薄膜的晶粒变大;随着偏压的不断增大,氢离子体对薄膜表面的刻蚀程度逐渐增大,从而有利于形成纳米金刚石薄膜.     

金属催化剂对碳纳米纤维结构影响的研究进展

综述了不同种类的金属催化剂及同种催化剂不同状态对碳纳米纤维的结构和形貌的影响,并对今后自组装生产各种结构形态的碳纳米纤维进行了展望。     

流动催化法制备碳纳米纤维工艺的研究进展

流动催化法是最有潜力实现碳纳米纤维工业化的生产方法。重点综述了在制备过程中温度、催化剂、载气及促进剂等因素对碳纳米纤维生长影响的研究进展,提出了综合优化各个反应参数的新思路以及该方法的未来发展方向。     

Microstructure transformation of carbon nanofibers during graphitization

The microstructures of vapor-grown carbon nanofibers（CNFs） before and after graphitization process were analyzed by high resolution transmission electron microscopy（HRTEM）, Raman spectroscopy, X-ray diffractometry（XRD）, near-edge-X-ray absorption fine structure spectroscopy（NEXAFS） and thermogravimetric analysis（TGA）. The results indicate that although non-graphitized CNFs have the characteristics of higher disorder, a transformation is found in the inner layer of tube wall where graphite sheets become stiff, which demonstrates the characteristics of higher graphitization of graphitized CNFs. The defects in outer tube wall disappear because the amorphous carbon changes to perfect crystalline carbon after annealing treatment at about 2 800 ℃. TGA analysis in air indicates that graphitized CNFs have excellent oxidation resistance up to 857 ℃. And the graphitization mechanism including four stages was also proposed.