首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1303篇
  免费   78篇
  国内免费   118篇
电工技术   130篇
综合类   106篇
化学工业   188篇
金属工艺   80篇
机械仪表   101篇
建筑科学   98篇
矿业工程   69篇
能源动力   44篇
轻工业   143篇
水利工程   75篇
石油天然气   47篇
武器工业   7篇
无线电   116篇
一般工业技术   149篇
冶金工业   36篇
原子能技术   43篇
自动化技术   67篇
  2024年   5篇
  2023年   36篇
  2022年   36篇
  2021年   20篇
  2020年   28篇
  2019年   36篇
  2018年   39篇
  2017年   21篇
  2016年   17篇
  2015年   22篇
  2014年   72篇
  2013年   55篇
  2012年   69篇
  2011年   66篇
  2010年   71篇
  2009年   87篇
  2008年   79篇
  2007年   87篇
  2006年   83篇
  2005年   55篇
  2004年   55篇
  2003年   58篇
  2002年   66篇
  2001年   63篇
  2000年   91篇
  1999年   28篇
  1998年   23篇
  1997年   17篇
  1996年   22篇
  1995年   18篇
  1994年   19篇
  1993年   5篇
  1992年   9篇
  1991年   6篇
  1990年   3篇
  1989年   7篇
  1988年   6篇
  1987年   3篇
  1986年   5篇
  1985年   4篇
  1984年   1篇
  1983年   2篇
  1981年   2篇
  1979年   1篇
  1966年   1篇
排序方式: 共有1499条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
通过对具有不同骨架L径、陶瓷浆料组分在不同温度下烧结的三维连通网络陶瓷的电导率和电磁参数的测量,研究了对这种网络结构材料电磁参量的影响因素.结果表明,当三维连通网络陶瓷的电导率为10-4<σ<101S/cm时,其电损耗及感应磁损耗较大.三维连通网络陶瓷在高温下有较大的介电损耗特性,使其成为耐高温电吸波材料的理想选择.  相似文献   
3.
研究了由二过碘酸合银(Ⅲ)钾(简称Ag(Ⅲ))与可溶性淀粉组成的氧化还原体系,于碱性介质中引发淀粉的接枝共聚合反应,得到高接枝效率的接枝共聚物,测定了引发剂浓度、单体浓度、pH值和反应温度对接枝参数的影响,并探讨了引发机理。  相似文献   
4.
定量荧光仪在现场应用中受到各种因素的影响:如岩屑样品浸泡时的干、湿;图谱是否出现了淬灭;环境温度的影响等等。文章通过具体事例给出解决这些问题的办法。  相似文献   
5.
6.
7.
8.
纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象   总被引:4,自引:4,他引:0  
对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.  相似文献   
9.
旋转导向钻井地面监控系统研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
为了将井眼轨迹以及其他有关的钻井参数用图形和数据三维可视化地显示出来,便于现场工程技术人员直观地掌握和分析钻头所在位置以及井下导向工具对井眼轨迹的控制情况,研制了地面监控和井眼轨迹可视化子系统,该系统是调制式旋转导向钻井系统(MRSS)的指挥中心。可实时监控井下导向工具,控制井眼轨迹按设计的轨迹逼近靶区并中靶。文中介绍了MRSS地面监控子系统的总体设计;在导入设计数据和实时采集MWD上传的实钻数据的基础上,进行了设计井眼和实钻井眼的轨迹描述、轨迹偏差分析和轨迹修正设计、进而计算出MRSS轨迹控制参数及相应的下传控制指令;研究了控制指令下传给井下导向工具的方式并给出最佳指令编码方案。系统的各项功能集成在一个一体化的地面监控和井眼轨迹三维可视化软件系统中,是信息化、智能化钻定向井的创新工程。  相似文献   
10.
树脂热解炭制备碳化硅晶须   总被引:6,自引:1,他引:5  
用自制的配合醛树脂热解和炭源,用SIO2超细汾作原,根据碳热还原原理,利用常规加热和微波加热两种方式,分别制备了直径在纳米级的SiC晶须,X射线衍射、透射电检测结果表明:制备工艺和条件对SiC晶须的性质有较大的影响。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号