乙炔气氛下制备碳包铁纳米粒子及其表征

采用C2 H2 为碳源制备了碳包铁纳米粒子 ,通过X射线衍射 (XRD) ,透射电镜(TEM) ,热重 差热分析仪 (TG DSC)等分析手段对粒子的成分、形貌等进行了表征 ;在氮气氛中对粒子进行了退火处理 ,对碳包铁纳米粒子的形成机制进行了初步探讨。结果表明 :制备的粒子中含有α Fe相、FeC相和Fe3C相 ,没有铁的氧化物相出现。铁粒子在碳层的保护下有很好的抗酸蚀能力 ,碳层的存在也增强了纳米铁粒子的抗氧化能力。     

新型超导体MgB2及其掺杂研究

MgB2是在2001年新发现的超导材料.它作为一种新型超导体材料备受关注且发展迅速,但其较低的不可逆场和较小的高磁场临界电流密度已成为阻碍其发展的关键.化学掺杂由于具有方便快速、能均匀改性等优点而成为当前提高MgB2超导性能的研究热点.重点评述了有关MgB2的元素或化合物掺杂研究的国内外最新进展,并从基础和应用的角度提出了MgB2超导材料需要深入研究的问题.     

纳米材料在陶瓷方面的应用

1引言 自80年代初,德国科学家提出纳米晶体材料的概念以来,世界各国科技界和产业界对纳米材料产生了浓厚的兴趣并引起广泛关注.到90年代,国际上掀起了纳米材料制备和研究的高潮.纳米微晶随其尺寸的减小,显示出与体材料截然不同的特异性质,如各种量子效应、非定域量子相干效应、量子涨落和混沌、多体关联效应和非定域线性光学效应等[1～3].正是由于纳米材料这种独特的效应,从而使得纳米材料具有一系列优异的功能特性.纳米材料在陶瓷方面的应用已成为陶瓷行业关注的热点.     

基于模糊控制的中压异步电机软启动控制器的研究设计

本文介绍了一种基于模糊控制的中压异步电动机软起动器的原理和软硬件设计。根据对电动机起动特性的分析,提出了基于模糊控制的中压电动机软起动的设计方法。通过检测输入电流,在电动机起动过程中,在恒流平滑升压下有效的消除了启动过程中的电流振荡问题,以达到最佳的起动效果。     

涡流检测在制备19芯Fe/Cu包套MgB_2超导线中的应用

19芯Fe/Cu包套MgB2超导线制备是以单芯Fe/Cu线组装后,再经过机械拉拔工序获得。利用电磁涡流技术可检测单芯Fe/Cu线内部的缺陷。通过电子扫描电镜(SEM)分析发现,相对于未检测到缺陷的单芯线,有缺陷的单芯线组装、拉拔后获得的19芯Fe/Cu超导线内部芯线排布均匀性差,部分芯线Fe层破损严重,将影响超导线质量。涡流检测方法有利于控制多芯超导线质量。     

基于信息融合技术的锅炉飞灰含碳量测控系统

降低飞灰含碳量对火力发电厂提高锅炉燃烧经济性具有重要意义,而飞灰含碳量难以在线测量.目前广泛采用微波飞灰测碳仪进行在线监测,但在实际中烟气密度和流速对仪器的测量精度有重要影响,使测量结果产生较大波动.设计了对烟气密度和流速的测量方法,并构造了基于多传感器信息融合技术的测量系统,利用BP神经网络对互补的信息进行有效融合,该方法在一定程度上提高了飞灰含碳量的测量精度,进而给出一种模糊自寻优的方法控制飞灰含碳量.     

氢电弧等离子体法制备纳米金粒子

在H2 Ar气氛中，采用氢电弧等离子体法制备纳米金粒子。电弧等离子的高温使得金块熔化、蒸发，金原子在上升过程中与Ar原子碰撞、成核并最终形成纳米金粒子。通过SEM观察，纳米金粒子形状规则，平均尺寸在30nm左右。XRD结果表明纳米金纯度高，DSC实验表明其熔点是483℃。     

氮化钛纳米粒子的制备及表征

以金属钛为原料 ,采用氢等离子体金属反应法制备了纳米TiN颗粒。通过X射线衍射 (XRD) ,透射电镜 (TEM ) ,扫描电镜 (SEM ) ,X射线能谱 (EDS) ,热重 差热分析(TG DSC)等手段对粒子的成分、形貌 ,相结构 ,热性能等进行了表征。实验结果表明 :在氮气氛下 ,采用等离子体金属反应法可制备氮化钛纳米粒子 ,粒子粒径均匀 ,形状均为立方体 ,纯度高 ,分散性好 ,热稳定性好     

马来酸掺杂对MgB_2带材超导性能的影响

采用马来酸掺杂制备了MgB2/Fe超导带材。利用X光衍射、扫描电镜、电测和磁测等手段对样品进行了表征。结果显示,马来酸掺杂显著提高了带材在磁场下的临界电流密度和上临界场。掺杂样品在高磁场下具有良好的临界电流性能主要归因于马来酸分解产生的高活性C对B的替代引起的HC2提高和由晶粒细化而引入的磁通钉扎中心。     

混合粉末对先位法MgB_2超导带材性能的影响

将掺杂纳米C或SiC的预烧结粉与镁粉和硼粉进行混合作为先位(ex-situ)粉末套管法(Powder-In-Tube)的填充粉末,制备出MgB2/Fe超导带材。结果表明,掺杂纳米C或SiC样品的临界转变温度均比未掺杂样品的低1.5K左右。纳米C或SiC样品的临界电流密度(Jc)均得到了极大的提高。且在4.2K,8T下,掺杂纳米C样品的Jc最高,约为104A/cm2,比未掺杂样品以及采用商业MgB2制备样品的Jc高约1个数量级。在预烧结过程中纳米C或SiC中的C对B位的有效替代所产生的晶格畸变以及晶粒连接性的提高可能是掺杂样品的Jc提高的主要原因。