单片集成MEMS电容式压力传感器接口电路设计

介绍了一种单片集成电容式压力传感器接口电路,该电路基于电容-频率转化原理,并通过差频消除了温度变化和工艺波动对电路性能的影响.使用Pspice对接12电路的误差特性进行了分析,并依据仿真结果确定了电路的相关参数.最后给出电路的测试结果,测试结果与仿真结果一致,在80～110 kPa量程内,接口电路的分辨率为3.77 Hz/hPa.     

基于MEMS工艺的压阻式湿度传感器的设计制作

提出用硅-硅直接键合的SOI片制作压阻式湿度传感器.它是利用涂覆在硅膜上聚酰亚胺膜吸湿发生膨胀,导致双膜结构发生弯曲产生应力的原理进行工作的.为了确定传感器结构、优化尺寸,采用ANSYS软件进行了模拟计算、设计了MEMS湿度传感器的制造工艺,对制作的微湿度传感器进行了测试,其灵敏度为0.21 mV%RH,最大湿滞为8%RH.     

MEMS芯片正面结构释放时的保护

提出了一种MEMS后处理中正面结构释放的正面保护方法．尤其是针对在CMOS-MEMS工艺制造单片集成传感器时,MEMS后处理工艺中正面体硅湿法腐蚀时对已制作完成的CMOS电路部分的表面铝引线、铝焊盘和钝化层下多晶层的保护方法．将一种新型的复合膜结构和优化后的TMAH腐蚀液相结合,可以保证长时间高温腐蚀时腐蚀液不会渗透到钝化层下,同时完成正面MEMS结构释放．具有与CMOS工艺兼容、工艺实现简单等特点．     

MEMS设计中的2.5维六面体网格划分

介绍了一种用于MEMS设计的六面体网格划分方法。MEMS工艺决定了大部分MEMS模型都是层状结构,本文针对这种结构提出了一种简便的2.5维划分方法,适用于所有面平行于(x, y)平面或者z轴的层状结构。该方法在(x, y)平面内将模型划分为四边形网格,然后在z方向延伸形成六面体。相比于如今使用最多的Sweep划分算法,它在划分前的预处理更少,由于仅仅需要输入划分大小, 使得整个划分过程更加方便,速度也比Sweep方法快了10~1 000倍,10 000个六面体以内的划分可在10 s内完成。同时,该方法也可以通过输入工艺过程参数按照实际MEMS工艺步骤产生3维MEMS模型, 完成从2维版图到3维网格的直接生成。     

单片集成MEMS电容式压力传感器接口电路设计

介绍了一种单片集成电容式压力传感器接口电路，该电路基于电容一频率转化原理，并通过差频消除了温度变化和工艺波动对电路性能的影响。使用Pspice对接口电路的误差特性进行了分析，并依据仿真结果确定了电路的相关参数。最后给出电路的测试结果，测试结果与仿真结果一致，在80～110kPa量程内，接口电路的分辨率为3．77Hz／hPa。     

单片集成MEMS电容式压力传感器接口电路设计

介绍了一种单片集成电容式压力传感器接口电路,该电路基于电容-频率转化原理,并通过差频消除了温度变化和工艺波动对电路性能的影响。使用Pspice对接口电路的误差特性进行了分析,并依据仿真结果确定了电路的相关参数。最后给出电路的测试结果,测试结果与仿真结果一致,在80~110kPa量程内,接口电路的分辨率为3.77Hz/hPa。