BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能

采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷，研究了SiO2-B2O3玻璃的含量，Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响，以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律，结果表明，休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高，BaF312O19相的析出越困难，前驱体合适的热处理温度为1000℃，介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降；介电损耗的最大值为0．43，磁损耗较小。     

介电多层膜与人工介电超晶格的研究

近年来，铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和性能的研究状况，讨论了进一步研究需解决的问题。     

钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用

叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理，介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能，并与块状陶瓷材料进行了比较，分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。     

动力配煤高温复合固硫剂研究

分析了高温复合固硫剂各成分的作用，实验研究了在不同配比的燃烧试验下，各成分对燃煤着火和燃烧以及对炉渣固硫的影响，得出了该煤种高温复合固硫剂的最佳配方。     

热分解法制备钛酸铅镧薄膜及其电性能研究

本文研究了用金属有机物热发解法制备ＰＬＴ８薄膜的工艺过程和基片对薄膜结构的影响，并且给出了铁电性能的测量结果。     

基于CAN总线的智能门禁系统的研发

针对智能建筑门禁系统的管理需求,设计基于CAN总线的智能门禁系统。该系统具有技术成熟,稳定可靠的特点。样机测试表明,系统各项主要功能均达到要求,具有低成本和更人性化的优势,有助于门禁系统智能化的发展。     

CuxAlO2(0.92≤x≤1.0)陶瓷电输运性能

使用高温固相烧结法制备不同化学剂量比的CuAlO2陶瓷,研究CuxAlO2(0.92≤x≤1.0)中Cu、Al摩尔比的相对变化对其结构和导电性能的影响.结果表明:CuxAlO2(0.92≤x≤1.0)陶瓷片的结构和密度随着x值的增大,样品的结晶性逐渐变好,密度也逐渐增大,在x为0.98时,得到密度最大(5.02 g/cm3)且结晶良好的纯相CuAlO2;样品的光学带隙均约为3.44 eV;随着x值的增加,室温电导率先增大然后减小,在x为0.98时得到最大电导率为8.03×10-3 S/cm;电导率随温度的升高而显著增大,且曲线在100～300 K之间很好地符合Arrhenius关系,x为0.98时激活能最低,仅为0.085 eV;在所研究的成分范围内,CuAlO2陶瓷的导电能力主要取决于陶瓷片的致密度.     

衬底温度对溅射法生长Cu-Al-O薄膜性能的影响

使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善.     

掺杂对Na0.5Bi0.5TiO3基无铅压电陶瓷弛豫性的影响

对(Na0.5Bi0.5)TiO3-BaTiO3(NBBT)二元系压电陶瓷在准同型相界附近进行不同量的La,Mn掺杂,通过XRD、电学性能测试等,研究了掺杂对陶瓷微观结构及介电性能的影响.结果表明,La,Mn掺杂后,相变的弥散程度增大,体系的弛豫性增强.铁电体的弛豫性与基体内极性微区的有序度及尺寸、数量密切相关,对NBBT这种A位复合体系而言,La离子的介入在一定程度上引起电荷不平衡,促使微区长大;但是由于La的分隔作用,A位与B位的耦合作用大大减弱,体系整体有序度降低,弛豫性增强.Mn离子的B位掺杂有助于建立新的(AA')(BB')O3复合体系,因此也影响体系的弛豫性.     

PVAC抑制PT铁电薄膜裂纹的研究

用金属有机物热分解法,通过添加聚醋酸乙烯酯(PVAC),将PbTiO3(PT)薄膜的单层厚度提高到0.78μm;利用红外光谱、扫描电镜和XRD等分析手段研究了PT先驱体的反应机理、PT薄膜的表面形貌及相结构,讨论了PVAC抑制裂纹产生的原因.结果表明PVAC能与钛酸四丁酯生成聚乙烯钛酸三丁酯,并且能与溶剂乙二醇乙醚形成氢键,这有利于立体网状结构的形成,这种网状结构增强了薄膜的弹性,抑制了裂纹的产生;同时PVAC的加入使PT薄膜的晶化温度从550℃降低到500℃.