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1.
用高能球磨采用两种方案制备了FeCo MnO体系,并用X射线衍射和振动样品磁强计对其结构和磁性质做了分析.发现采用直接氧化Mn而得到MnO的方法,所得体系的MnO较纯;而通过分解MnCO3得到MnO的体系,MnO纯度较低,有较多Mn3O4杂质,两种方法制备的FeCo MnO体系的矫顽力和剩磁比都比单纯FeCo体系的增加很多,且前一种方法比后一种方法制备的FeCo MnO体系的矫顽力和剩磁比较大.然后研究了球磨时间及退火处理对FeCo MnO体系矫顽力及剩磁比的影响,发现球磨时间为120h体系的矫顽力和剩磁比最大;经过退火处理后,体系的矫顽力和剩磁比都有较大幅度的增加. 相似文献
2.
The effects of Al ion doping on the Mn site were studied for the colossal magnetoresistance material La0.67Ca0.33MnO3. It is found that the volume of the crystal cell decreases monotonically when the population of Al3 increases across the entire doping range. As the Al3 population increases, the resistance of the material rises rapidly, while the insulator-metal transition temperature TIM decreases linearly. At small Al3 dosage, a thermal activation model properly describes the transport properties at T>TIM, while a metallic model is more suitable at T相似文献
3.
镍锌铁氧体薄膜的显微结构和低温磁性质 总被引:4,自引:0,他引:4
通过溶胶凝胶甩膜工艺,在抛光的硅晶片(100)基底上制备出Ni0.5Zn0.5Fe2O4(NZF)薄膜并对其结构和磁性的测量结果进行了分析。薄膜表面平整,具有较好的单相结构,其颗粒平均粒径约30nm。制备的NZF薄膜厚度分别约90、120和180nm。实验结果表明,薄膜在低温下表现出自旋玻璃态行为。当外加磁场为7.96×103A/m时,NZF薄膜自旋冻结温度大约在Tf=140K,自旋冻结程度随薄膜厚度增加而降低。在40~300K之间,薄膜饱和磁化强度和矫顽力都随着温度增加而降低。NZF薄膜在T=40K处存在最大磁化强度。较薄薄膜在40K以下饱和磁化强度的降低是因为磁性颗粒表面自旋被部分冻结而导致的磁性离子相互间自旋耦合作用减弱的结果。 相似文献
4.
5.
本文通过深入细致的现场测定及理论分析,弄清了造成鲍店煤矿一采区端面冒顶及低产低效的原因,在此基础上对1303面及1302面进行了综合治理。通过支护质量监测、支架选型及顶梁改造、水胀锚杆加固顶板及采掉部分下位直接顶等技术措施的实践,取得了有益的经验和较好的效果。 相似文献
6.
7.
通过光学浮区法生长了直径约为6mm、长度约为45mm的高质量EuFeO3晶体。对所获得的晶体沿着生长方向进行切片并抛光,使用扫描电镜(SEM)观察不同切片表面的形貌,以了解晶体的生长过程,同时使用EDS能谱分析晶体成分,结果显示通过光学浮区法获得的EuFeO3晶体具有良好的成分一致性,铁元素与稀土铕元素物质的量比为1∶1。摇摆曲线结果显示晶体具有良好的结晶质量。对EuFeO3晶体进行磁性测量,发现EuFeO3晶体在不同方向上表现出强烈的磁各向异性,c轴方向上奇特的分步磁化现象可能是由于晶体内磁化难轴和易轴的改变所致。 相似文献
8.
Gd5Ge4低温时具有玻璃态的不稳定性,与钴氧化物La0.88Sr0.12CoO3的冻结的自旋玻璃态不同. 通过分别研究经过零场冷过程后Gd5Ge4和La0.88Sr0.12CoO3在低温区域的温度循环对磁化强度的影响,发现在Gd5Ge4样品中磁化强度随着温度循环的增加而不断增大,但是在La0.88Sr0.12CoO3样品中温度循环对其磁化强度几乎没有影响.Gd5Ge4和La0.88Sr0.12CoO3的直流磁化强度和交流磁化率也进行了测量.Gd5Ge4的交流磁化率的峰并不随着频率的增加而向高温区移动,这个现象不同于La0.88Sr0.12CoO3样品的. 通过不同物理参数的测量,证明了Gd5Ge4的这种磁玻璃态不同于传统的自旋玻璃态. 相似文献
9.
研究了退火对磁场诱导下高定向热解石墨(HOPG)输运特性的影响.结果表明,退火后HOPG的R-T曲线明显变得光滑,且退火后电阻率增大了近50%,相应温度下的磁电阻效应均减小约40%.分析认为,这是由于HOPG内部存在层错与所含杂质缺陷引起的.磁场下电阻率随温度的变化表明,外加磁场对低温下的金属导电行为存在抑制作用,随着外加磁场的增加,低温下的金属导电行为受到抑制,在H=5.57×104A/m时,低温下的绝缘体-金属转变(I-M)被完全抑制,呈半导体性质.随着磁场的继续增加,在磁场高于H=9.24×105A/m时再次出现绝缘体-金属转变,即再入型金属导电行为,且退火对这一转变过程没有影响,表明这种绝缘体-金属转变是由外加磁场诱导产生的. 相似文献
10.
摘要:为了阐明在锰氧化物多晶以及外延薄膜中存在的低温电阻极小值现象,对La2/3Sr1/3MnO3单晶样品的性质进行研究.该单晶样品是利用光学浮区生长炉,在氩气气氛中生长出的高品质晶体,系统研究了退火对La2/3Sr1/3MnO3单晶低温输运行为的影响.结果表明,在退火前样品存在的低温电阻极小值无论是c轴还是ab平面在退火后均消失,这一结果首次证明了在锰氧化物体系中存在的低温电阻极小是一种非本征的物理行为,与实验样品的制备工艺和存在于其中的非完整性具有较强的依赖性,并进一步证明自旋无序散射乃是传统体系出现低温电阻极小的主要原因. 相似文献