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在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,(2)保有相位,(3)量子电阻(h/e2),(4)量子字节(qubit),(5)普适电导涨落.电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管,目前纳电子三极管有两种模式:纳米点三极管和碳纳米管三极管.文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性. 相似文献
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本文讨论了电子的原子散射因子和温度因子的定义与计算,给出了66种基本晶体在1K至1000K温度区内内的Debye-Waller因子,98种中性原子的电子原子弹性散射因子的解析拟合参数,可用于一般晶体吸收蕤 射因子计算和解析拟合的计算机程序,研究了晶体振动各向异性对于计算晶体结构因子的影响。 相似文献
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[目的]人工智能、大数据等领域的发展对芯片算力和能效的要求越来越高,硅基芯片技术受到功耗墙、存储墙和尺寸缩减等限制,面临日益严峻的挑战,需要新的沟道材料和新的芯片架构推动信息电子产业的继续向前,碳纳米管CMOS技术是目前最具潜力的下一代集成电路技术.[方法]针对碳纳米管集成电路发展中需要突破的关键性技术,分别从芯片用碳... 相似文献
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在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显的量子效应,与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,(2)保有相位,(3)量子电阻(h/e^2),(4)量子字节(qubit),(5)普适电导涨落.电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管,目前纳电子三极管有两种模式:纳米点三极管和碳纳米管三极管,中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性。 相似文献
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