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由于C=C双键交联反应机制的成熟,金属氧化物光刻胶得到了广泛的发展.然而,由于不稳定的C=C双键,这种材料需要低温和遮光存储.在此,首次在金属氧簇中提出了C-F键交联策略用于光刻图案化.以光刻胶Zn-TBA为例,它形成光滑无缺陷的薄膜,且表面粗糙度Rq小于0.2 nm.使用极紫外(EUV)干涉掩模,在65 mJ cm-2曝光剂量下形成37.5 nm的半周期(HP)图案.在EUV曝光和正己烷显影后,通过原子力显微镜(AFM)观察到负性光刻胶形貌.重要的是,Zn-TBA可以在室温和明亮的环境中储存.除了脱羧之外,我们还提出光引发的C-F交联是Zn-TBA图案的主要贡献者,并通过高分辨率X射线光电子能谱(HRXPS)和密度泛函理论(DFT)计算得以证明.这种新颖的光刻机制为下一代金属基材料的设计提供了新的思路. 相似文献
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