厚膜铂电阻温度传感器的性能与应用

厚膜铂电阻是以铂膜作电阻，采用丝网印刷工艺制造的。该元件具有工艺性好、长期稳定性好、抗振动性好和热响应快等诸多优点，其Ｒ（℃）＝１００Ω，Ｒ（１００℃）／Ｒ（０℃）＝１．３８５０，是－７０℃－＋６００℃范围精密测温的理想元件。     

si和Ge的固相外延生长

一、前言在现代科学技术中,很多领域都需要应用薄膜材料,尤其是在半导体方面,显得更为突出。随着半导体器件的飞速发展,对制备单晶薄膜材料的要求愈来愈高。过去制备单晶薄膜材料常用气相外延和液相外延两种方法。这两种方法虽然能够适应一般的要求,但对某些要求很薄、很大、纯度极高和结构复杂的单晶薄膜场合,往往不能满足要求。因此,研究新工艺,制备满足上述要求的单晶薄膜材料,是一项十分紧迫的任务。也由于科学技术和仪器设备的进步,为研究新工艺、制备新材料提供了条件。于是近年来,与分子束外延生长研究的同时,又提出一种新颖的外延生长技术——固相外延生     

厚膜铂电阻温度传感器研究

厚膜铂电阻温度传感器以铂膜作电阻，采用厚膜印刷工艺，线宽和间隔均为１００μｍ。铂电阻具有工艺性好、长期稳定性好、ＴＣＲ复现性极好等诸多优点，其Ｒ（０℃）＝１００Ω，ＴＣＲ＝３８５０×１０－６℃－１。     

InAs薄膜的制备及其电学性能

通过利用控制衬底和源的温度的真空蒸发工艺,在云母衬底上沉积InAs薄膜已经实现了。这种大晶粒薄膜被发现具有最佳的电学性能。在施主浓度3.5X10~(16)厘米~(-3)和厚度3μm的未掺杂薄膜中,获得了室温下的最大电子迁移率为12400厘米~2/·秒。这些InAs薄膜的电子迁移率和电阻率的温度依赖性稍低于已报道的InAs体晶体。     

直热式半导体陶瓷湿敏电阻器

本文介绍的湿敏电阻器是由新型多孔结构p-型半导体性能MgCr_2O_4-TiO_2陶瓷感湿材料研制而成。阐述了影响元件性能的主要工艺条件。讨论了元件获得较好复现性和稳定性的方法.主要技术参数:测湿范围10～100％RH,工作温区0～100℃,响应时间<10S,测量精度±3％RH,60%RH感湿温度系数约0.37％RH/℃.