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1.
采用辉锑矿为原料成功制备出Cu_(12)Sb_4S_(13)块体。研究以Sb_2S_3矿物为原料时烧结工艺对Cu_(12)Sb_4S_(13)合成的影响。在400 ~ 440℃温度区间内均可快速合成Cu_(12)Sb_4S_(13)块体且二次烧结能够进一步减小中间相CuSbS_2和Cu_3SbS_3。第二相Cu_3SbS_4和残留相CuS随着烧结时间的延长而降低。二次烧结前进行机械化球磨处理,干磨比湿磨更容易减小残留相。初次烧结块体的断面SEM和EDS能谱分析表明内部存在Cu或Cu_2S颗粒团聚现象。适当降低Cu或CuS摩尔量(化学计量比0.1 mol)能促进烧结块表面反应进行。烧结过程中,硫磺蒸汽压的导致烧结块表面成分和内部粉末的成分不同。 相似文献
2.
<正> 半导体集成电路是在不断追求高密度和低成本的过程中发展起来的。今天,64KDRAM已发展到了全盛时期,256KDRAM 也进入了批量生产阶段。光学曝光设备也随着这些器件的发展,由接触式光刻发展到1:1反射投影式及缩小投影的分步重复式光刻,同时实现了高精度化及多功能化。上述发展的结果,导致 相似文献
3.
5.
6.
本文分析了厚表土层中井壁破裂的机理和防治技术,研究了滑动可缩井壁结构各部分的受力特点和计算模型,提出了新的井壁设计方法,通过模拟试验得到了相应的设计参数,为工程设计和应用提供了可靠的依据。 相似文献
7.
常下载电影看的朋友可能会遇到过类似情况——删除某个视频文件时系统提示无法删除,因某个程序正在“调用”。更糟糕的是,计算机重启后也无法删除该文件,在安全模式下也不行。其实,我们可利用“Microsoft Wiridows DOS”解决问题。 相似文献
8.
大朝山水电站的工程地质勘察,在前期勘测和工程施工中都取得了好成绩。回眸勘测人员艰苦奋斗的历程,精心工程地质勘察,循序渐进,勘测与设计的紧密结合是工程勘察成功的关键。电站工程区河谷深切,山高坡陡,交通困难,气候炎热,工程地质条件复杂,但深入勘察研究,充分因地制宜,扬长避短,优选工程设计方案,是能够做出显著成绩的。 相似文献
9.
业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1%。 相似文献
10.
《中国给水排水》编辑部 《中国给水排水》2007,23(24):83-83
根据中国科学技术信息研究所近期公布的2007年版中国科技期刊引证报告的统计数据,1723种期刊的总被引频次平均值为650次/刊,影响因子平均值为0.444,即年指标平均值为0.055,基金论文比平均值为0.47,海外论文比平均值为0.02,他引率平均值为0.80,平均作者数为3.55人/篇,参考文献量平均值为2261篇,平均引文数为10.55/篇。 相似文献