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Cas:Ce的红外激励发光机制 总被引:6,自引:2,他引:4
在单掺稀土离Ce^3+的CaS中,紫外辐照后,在近红外光激励下,观察到较强的可见发光,这是由处于不同格位的Ce的离子间的电子转移引起的。本文报道了有关的光谱特性和电子俘获机制。 相似文献
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本文首次报道了CaS(eu,Ce)的紫外可见双重存储及双色显示特性,通过实验研究CaS(Eu,Ce)光致发光和激光发主上转换发光和经外激励光谱,结果表明,CaS(Eu,Ce)同样具有可擦除、可重写的光存储功能。当用λ≥-450nm波段的光写入,用波长约在850-1500m之间的红餐光读出时,则能探测到橙色发光,峰波长在-640nm附近,而当用λ≤-300nm的紫外光写入时,在同样读出条件下,读出信 相似文献
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SrS(Cu,Sm)的红外激励上转换发光及光存储特性 总被引:3,自引:0,他引:3
本文首次报道了SrS(Cu,Sm)的红外激励上转换发光及光存储特生,给出了二种典型样品的光致发光的激光光谱,测定红外激励发光和激励光谱,结果表明SrS9Cu,Sm)具有极好的可擦除可重写的光存储功能,其最长的写入光波段在350nm附近,读出光波长约在800-1400nm附近,发射兰绿光峰波长在515nm附近。 相似文献
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在探索和研究激光材料的工作中,常常需要系统地大批地测定材料的光谱参数,例如荧光寿命τ、受激发射截面σ(或增益系数β)和量子效率η)等。这些量的绝对测量虽然已比较成熟,但对于大量的、系统性的激光材料测量,尚存在许多不便。这里介绍一种简单的方法。 对于任意线型的荧光带(或线)的辐射跃迁几率A为: A=8πn~2c·Δλ·σ_P/λ~4 (1) 其中σ_P为峰值受激发射截面,λ为荧光带的平均波长,Δλ是荧光有效带宽,c为光速,n为介质的折射率。积分荧光强度I_p与荧光跃迁初始能级的粒子数密度和相应的跃迁几率成正比 I_p=8πn~2c~2h·σ_p·N/λ~5 (2)其中N是荧光初始能级的粒子数密度。如果采用稳定的弱激发,在稳态条件下 N=N_0σ_AI_Eτ (3)式中No为样品中的总粒子数密度(或基态粒子数密度),σ_A为光泵吸收截面,I_E为平均激发光强,对于固定的实验条件I_E可认为是不变的,τ是荧光能级的寿命。 相似文献
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报道了SrS(Eu,Sm)的写入、读出和发射光谱分布及输出发光对输入光强的关系.利用~100μm厚的SrS(Eu,Sm)薄膜进行了图象存储和加减功能的实验,结果表明,该材料在光信息存储和处理中具有很大的应用前景. 相似文献