提高发光二极管出光效率的新方法

利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,制备出具有纳米微孔的PMMA薄膜,以此为掩膜对发光二极管(LED)表面进行湿法腐蚀,得到表面微结构,并研究了腐蚀时间对表面形貌的影响.测试结果表明,当微孔直径在500 nm左右、腐蚀深度约140 nm时,所得到的表面微结构能使LED在20 mA的注入电流下光功率平均提高18%.     

改善沉积氮化硅薄膜对FFS-TFT透明电极ITO影响的研究

研究了在FFS-TFT制作工艺中,沉积非晶氮化硅薄膜对透明金属ITO的影响。结果表明沉积氮化硅薄膜的硅烷流量对ITO的透过率有着很大影响,降低硅烷的流量可以阻止薄雾状姆拉的产生。通过优化氮化硅薄膜沉积条件,先在透明导电金属ITO薄膜上面使用低流量硅烷沉积一薄层氮化硅作为缓冲层,然后使用高流量的硅烷在其上再沉积氮化硅薄膜,这样不仅解决了薄雾状姆拉,同时还以提高氮化硅的沉积速率,满足生产需求。     

特气室温红外探测器的噪声分析

由MEMS技术制备的特气室温红外探测器的噪声主要包括温度噪声、机械热噪声和背景噪声。从理论上建立了器件的基本热模型,推导得到器件的等效热熔和等效热导分别为8.1 μJ/K和1.0×10^-3 W/K,温度噪声约为1.73×10^-10 W/Hz^1/2;通过器件的工作机理和能量均分原理,推导得到热机械噪声的等效噪声功率约为9.96×10^-9 W/Hz^1/2,器件的背景噪声约为3.22×10^-11 W/Hz^1/2,从而得出器件的归一化探测率约为9.03×10⁶ cm·Hz^1/2/W。实验表明,器件的噪声中热机械噪声为主要噪声源,大小主要由浓硼硅薄膜的机械性能和器件结构决定,可以通过增大薄膜厚度,减小薄膜面积,从而增加薄膜的特征频率的方法来减小器件受外界振动的影响,但以降低器件的灵敏度为代价。另外环境振动噪声也对器件的影响很大。为了减小外界气压和温度变化的影响,提出了一种新型的双腔结构来减小和平衡外界环境变化引入的噪声。     

超薄膜腐蚀自停止技术的缺陷分析

作为气动红外探测器密封微电容检测腔的核心部件,要求敏感薄膜必须无孔,平整.浓硼硅腐蚀自停止技术制备超薄膜时,扩散前待扩硼区经常会存在各种表面微缺陷,导致扩硼后,再进行反向腐蚀形成的超薄膜会出现微腐蚀孔.利用小孔扩散模型和流体力学中小孔的热壅塞理论详细计算了缺陷的结构尺寸对缺陷底端局部硼浓度的影响.当缺陷半径r0<√(Dt),其底端的局部硼浓度会远远低于浓硼硅腐蚀自停止的临界浓度5×1019/cm3.,从而在下一步的反向腐蚀出膜过程中,表面有缺陷的扩硼区出现微腐蚀孔的几率大大增加.最后,针对膜区域出现的微腐蚀孔,提出了几种解决方案.     

高分子自组装掩膜的制备

利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,采用溶液共混和旋转涂膜的方法制得聚苯乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯(PS/PMMA)高分子共混物薄膜,对薄膜经过再加工得到具有纳米微孔的PMMA薄膜,研究了对溶液进行超声处理的时间、PS/PMMA共混物溶液浓度、旋涂转速和试片表面对掩膜形貌的影响。以此PMMA薄膜为掩膜对GaP表面进行湿法腐蚀,得到一种蜂窝状的表面微结构,它能使发光二极管(LED)的光功率平均提高18%。