TFT有源矩阵α－Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究

分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数，从而获得了高性能的７５ｍｍ３７２×２７６像素α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源矩阵     

淬火制备非晶硅的分子动力学模拟研究

在微机上用分子动力学方法模拟了熔Ｓｉ淬火制备ａ－Ｓｉ的过程。硅原子间的相互作用势采用Ｓｔｉｌｉｎｇｅｒ－Ｗｅｂｅｒ势。受计算量的约束，淬火速度一般很高，此时采用这种势无法直接从熔Ｓｉ得到ａ－Ｓｉ。本文作者采用１０００Ｋ左右的体积一次性膨胀法克服这一困难。对模拟制备的ａ－Ｓｉ的径向偶对分布函数、键角分布函数及配位数的分析表明，ａ－Ｓｉ中的四面体网络结构已得到了比较好的恢复。对制备过程的分析则显示，体积膨胀及随后的弛豫所导致的三体能大幅度下降是使体积一次性膨胀法有效的主要原因。     

微波等离子体退火制备CoSi2薄膜

采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与(100)硅衬底发生固相反应直接生成CoSi2,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性.通过X射线衍射图谱发现,当退火时间相同时,在610C时先形成CoSi2(111)织构,750C时(100)取向的CoSi2生长显著.此外,在微波作用下,无需先形成富Co的Co2Si和CoSi,就能直接得到稳态的CoSi2,不同于常规的热处理.分析认为这是因为微波可以促进固相反应中Co原子的扩散,有利于CoSi2形核生长.     

准分子激光晶化制备TFT多晶硅薄膜的研究进展

对准分子激光晶化制备TFT用多晶硅薄膜的研究进展进行了综述。介绍了晶化过程中的超级横向生长现象。主要结合各种基于光束调制和光刻技术的人工控制超级横向生长方法,讨论了获得大晶粒尺寸优质多晶硅薄膜的途径。     

同步辐射X射线成像法原位研究Al-15％Cu合金柱状晶一等轴晶转变以及无轴柱状枝晶生长

利用上海光源同步辐射装置（SSRF）,通过原位及实时探测研究Al—15％Cu合金定向凝固。结果表明：外部热扰动激发柱状晶一等轴晶转变（CET）。当固一液界面前沿的溶质边界层较薄时,枝晶尖端碎片的分离和漂浮是转变的前奏。而枝晶的三角尖端是断裂敏感区域。只要条件合适,一种新的枝晶形貌将孕育和长大。这种枝晶没有明显的主枝臂,称为无轴柱状枝晶。     

多晶硅薄膜的新型激光晶化制备方法

采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸为 1.1μm,比用传统单步晶化制备的薄膜晶粒尺寸大 ,表明该方法对扩大晶粒尺寸很有效。拉曼光谱分析表明 0 .30 J/ cm2晶化的薄膜结晶程度已很高     

低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备

利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜.质子激发X射线荧光测试表明硼硫共掺杂方法能够提高硫在金刚石中的溶解度;扫描电镜和Raman光谱的分析结果表明掺杂金刚石薄膜的晶粒较完整,薄膜中存在较多的非金刚石碳相.Hall效应测试表明薄膜的导电类型为n型,电阻率为0 .0 2 4 6 Ω·cm,载流子浓度为2 .4 0×1 0 1 7cm- 3,Hall迁移率为1 0 3cm2 / (V·s) ;较低的电阻率是薄膜中存在sp2键和掺入的硫杂质等多种因素作用的结果     

常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较

用热丝CVD方法制备了常规和纳米金刚石薄膜。测量了其电阻率、介电常数和损耗角正切值。实验结果表明,常规金刚石薄膜的电导率、损耗角正切值均小于纳米金刚石薄膜,介电性能比较理想。两种薄膜的介电 常数基本相同,损耗角正切值在10^5Hz处都有弛豫极大值,表明在该频率范围内,主要为弛豫损耗机制。电导率和损耗的大小可能与晶界处缺陷和非金刚石相的多少有关。     

硼磷共掺杂n型金刚石薄膜的Hall效应、红外光谱和EPR研究

用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜。Hall效应测试表明,800℃退火后,在注入的磷离子剂量相同的情况下,共注入硼的金刚石薄膜的载流子浓度与单一掺磷的相近,但Hall迁移率高,电阻率低。FTIR结果表明B-H结的形成钝化了硼的受主特性,使磷的施主特性没有被补偿,共掺杂薄膜中载流子浓度没有大幅度减少。EPR和Raman测试结果证实了较高温度退火后的共掺杂薄膜的晶格结构比单掺杂薄膜的更完整,从而有利于提高载流子迁移率,降低电阻率。     

微波等离子体退火制备CoSi_2薄膜

采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与(1 0 0 )硅衬底发生固相反应直接生成Co Si2 ,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性.通过X射线衍射图谱发现,当退火时间相同时,在6 1 0℃时先形成Co Si2 (1 1 1 )织构,75 0℃时(1 0 0 )取向的Co Si2 生长显著.此外,在微波作用下,无需先形成富Co的Co2 Si和Co Si,就能直接得到稳态的Co Si2 ,不同于常规的热处理.分析认为这是因为微波可以促进固相反应中Co原子的扩散,有利于Co Si2 形核生长