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利用ns级InGaAs/InP PIN光电二极管和20MHz虚拟数字示波器测量了氙灯和Nd:YAG激光器在氙灯泵浦下发出的光脉冲波形.比较测得的波形,可以得出结论,每一个激光脉冲均呈现出典型的弛豫振荡过程,与理论分析基本一致[1].与模拟示波器对比,虚拟数字示波器的分辨率高,读数准确,波形可存储,且信息处理方便. 相似文献
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本文针对WDP500-2A平面光栅单色仪在不同电流下测试大功率激光二极管的发射波长时,匹配激光二极管的自动化程度不高、效率低以及分析界面不友好等缺点,采用自制的RS232串口通信接口卡,并运用美国NI公司的虚拟仪器编程语言LabWindows/CVI开发分析软件,实现了单色仪的自动定位、扫描、数据分析、数据处理功能。基于LabWindows/CVI的光谱分析系统的设计与实现$重庆师范学院物理学与信息技术系!400047@龙兴明
$重庆师范学院物理学与信息技术系!400047@戴特力
$重庆师范学院物理学与信息技术系!400047@梁一平
$重… 相似文献
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为了获得准确的显微镜的焦平面图像信息,去除焦平面外的干扰信息,本文根据光学切片显微技术的原理,在计算出点扩散函数H矩阵后,通过VC 程序,采用位图相减方式获取图像纯焦平面的信息。实验证明效果较好,速度较快。 相似文献
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基于垂直外腔面发射半导体激光器窗口散热模式的传热模型,用有限元法计算了不同条件下量子阱有源区的温度变化,建立了量子阱最高温度的等效热阻模型和计算公式,并通过拟合确定了热阻模型的相关参数.计算表明量子阱最高温度与抽运功率存在线性关系,与光斑面积近反比关系,窗口散热片可显著降低量子阱有源区温度和温度的不均匀度.等效热阻模型表明由于半导体晶片内热流在径向难以扩散,热传导中存在较大串联热阻,使得散热片热扩散能力趋于饱和,其中碳化硅的散热性能约为金刚石的75%. 相似文献
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垂直外腔面发射激光器芯片的生长工艺要求精确到nm量级,制作成本高,有必要用软件对设计好的VECSEL芯片进行仿真,实现优化.通过PICS3D软件对已经设计好的一个底发射的VECSEL芯片结构进行仿真,获得了量子阱有源区的带隙结构、材料增益曲线及子腔谐振谱线等特性.结果表明,InGaAs/GaAsP/AlGaAs材料体系能够有效地吸收808 nm的泵浦光,产生足够多的光生载流子(电子-空穴对),这些载流子能轻易地渡越应变补偿层,被量子阱俘获,产生复合发光.其发光带隙1.25 eV,相应波长992 nm,接近设计波长980 nm.InGaAs的材料增益峰值波长正好在980 nm处,增益系数高达4000 cm-1.InGaAs/GaAsP/AIGaAs量子阱的谐振峰值波长为983 nm,与980nm的分布布拉格反射镜(DBR)的反射中心波长非常接近,其峰值功率高达23 dB,理论上能够获得较大的输出功率. 相似文献
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在Browu-Twiss实验中,如果用一个Wollaston梭镜(WP)代替分束板(BS),便可以讨论双折射对光子统计的影响。如果用自然光入射,出射的o光与e光的零拍实验将表征偏振光之间的强度相关性质。本文讨论两束不同性质的单模(包双光子压缩态(SQ)光干涉后的零拍强度量子起伏。本地振荡(LO)E~_(LO)~((+))=a exp(-iΩ(t-x/c)和压缩态(SQ)E_(SQ)~((+)) 相似文献
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圆柱透镜对半导体激光光束准直性能的改进 总被引:14,自引:6,他引:14
根据光线传输的基本原理,通过计算和推导,用解析式表达并讨论了半导体激光器快轴方向发散光束通过圆柱透镜后的准直特性、光强分布和光能转换效率与圆柱透镜的半径、介质折射率、介质损耗、安装距离等可调参数以及界面反射的关系。说明了安装位置直接影响到准直效果;透镜半径、折射率和介质损耗不仅影响到准直后光斑的大小、光强分布和光能转换效率,而且影响到偏振状态的重新分布,因此,要获得最佳准直效果必须略微离焦安装;还需根据具体使用要求综合考虑各参数对光斑大小、光强分布和光能转换效率的影响,以采用适当的参数,并考虑是否进行增透处理。为正确认识和使用微圆柱透镜改善半导体激光快轴方向光束的发散,提高光束质量提供了理论依据。 相似文献