温度全补偿和误差处理方法

采用单片微机的多路巡测温度计,不仅能使整机制造工艺简单化,而且具有极好的抗干扰性能。文中论述了参比端温度实时全补偿和热电偶输出特性线性化,分析了各种误差因素对测量精确度的影响,并介绍了应用微机技术处理各种误差的方法。     

人工智能专门知识微机化

一、运用电子学迅速而协调地解决技术及管理问题的专家系统具有专家知识和推理能力的专家系统,正从重点大学和大公司的研究室步入工商业日常应用中去。尽管历程艰难,但是包括纺织业在内的很多工业部门已经有效地应用该     

TP-801单板机编程2732及编程监视方法

写EPROM在计算机的调试中是经常要做的工作。本文介绍了对TP-801单板机进行改进后,不仅可以编程2716EPROM,而且还可以编程2732EPROM。文中简要地阐述了编程程序的改进方法,给出了编程过程的监视程序及其操作步骤。     

论现代远程开放教育中教师的主导作用

在现代远程开放教育中,正确理解、把握教师的主导作用,并在以学生自主学习为主的教学过程中充分发挥教师的主导作用是现代远程开放教育实现教学目标,保证教学质量的根本保证。     

Si3N4/W高温共烧陶瓷的制备与研究

氮化硅陶瓷具有良好的热导率与优异的力学性能，在大功率电子器件中具有较好的应用前景。实现氮化硅陶瓷与金属的高温共烧对其在电子器件中的应用具有重要意义。高温共烧技术常用氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷和氮化铝陶瓷作为基板材料，鉴于此，本工作以氮化硅陶瓷为基板材料，结合流延成型、丝网印刷以及高温共烧技术制备氮化硅多层共烧组件，探究烧结助剂(Er₂O₃)含量对氮化硅陶瓷性能的影响，并对氮化硅多层组件脱粘工艺、界面结构与成分和导电性能进行分析与讨论。结果表明：Er₂O₃含量为9%(质量分数，下同)时，可得到相对密度、收缩率、热导率和抗弯强度分别为95.35%、10.33%、69.94 W/(m·K)和(807.33±10.34) MPa的氮化硅陶瓷。适用于氮化硅多层组件的脱粘工艺为：在真空下以1℃/min的速率升温到600℃并保温1 h。共烧后氮化硅多层组件中的W层厚度约为7μm, W层与陶瓷层界面明显，既存在机械互锁型结构，也有界面反应发生，产物为W₅Si₃。组件的薄层方阻...