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1.
描述了利用射频等离子体溅射法采用不同阴极在衬底Si片上形成类金刚石薄膜的杂质含量及杂质对厚度和硬度的影响分析与结果,比较了DLC膜的力学性能在有无金属杂质情况下的异同,分析和计算了其硬度与硬度与制备参数间的关系,得出利用石墨作电极能制备出质量较好的DLC膜,初步探讨在Si衬底上沉积高硬度和强附着度类金刚石薄膜的有关工艺条件,并在理论上对这一结果进行了解释。  相似文献   
2.
通过偏压激波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)成功地在Si(100)上生长出具有(100)织构的金刚石薄膜。阐述了实验过程,讨论了偏压对(100)织构金石薄膜成核与生长条件的影响,偏压有助于成核密度的提高和有利于(100)织构生长,采用SEM、Raman光谱等对所得榈进行了表征。  相似文献   
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