一种互联网资源标志与寻址技术:Handle System

互联网最基础的资源标志与寻址技术是域名和IP地址，随着互联网资源种类的增加，以及应用的发展，出现了对新一代互联网资源标志与寻址技术的需求。介绍了一种新的互联网资源标志与寻址技术，并将这种技术应用到域名系统中。     

有机聚合物材料折射率色散的研究

用Ｖ－棱镜折射率仪通过对３－（１,１－二氰基噻吩）－１－苯－４,５－二羟基Ｈ－噻唑（ＤＣＮＰ）与聚醚醚酮（ＰＥＫ－ｃ）组成的主客掺杂聚合物溶液的折射率的测量,在利用了Ｌｏｒｅｎｚ－Ｌｏｒｅｎｔｚ局域场的情况下,计算出了聚合物体系的折射率。由Ｓｅｌｌｍｅｙｅｒ色散方程对所测聚合物体系折射率的模拟,得到了聚合物体系折射率的色散曲线。聚合物的折射率的测量精度约为０．７％,而且聚合物与溶剂的折射率大的差值     

主客掺杂聚合物材料薄膜介电性的研究

制备了３－（１,１－二氰基噻吩）－１－本－４,５－二羟羟基－Ｈ－噻唑（ＤＣＮＰ）与聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）组成的主客掺杂聚合物薄膜ＤＣＮＰ／ＰＭＭＡ,用ＤＣＳ测量了该体系的玻璃化温度。在玻璃化温度以上３０℃测量了温区范围内该材料的介电常数的实部和虚部随频率的变化曲线,测试频率范围为５０Ｈｚ～１０ＭＨｚ。由以上各介质谱曲线所对应温度下的特征弛豫时间τ,结合Ａｄａｍ－Ｇｉｂｂｓ模型,模拟计算出了玻璃化温度以下该聚合物的弛豫时间。     

Na~+对KDP晶体热膨胀及硬度的影响

Na+是KDP原料中一种常见的杂质离子,采用"点籽晶"快速生长法生长了一系列掺杂Na+的KDP晶体,研究了不同掺杂浓度下Na+对KDP晶体热膨胀及硬度的影响。实验表明,随着Na+掺杂浓度的增大,KDP晶体Z向热膨胀系数逐步增大;KDP晶体(001)面的显微硬度整体大于(100)面的硬度,随着Na+掺杂浓度升高,KDP晶体各晶面硬度显著降低。     

转速对快速法生长KDP晶体影响的实验与数值模拟研究

采用快速生长法在不同转速下生长了KDP晶体,对晶体生长过程中的现象进行了研究;运用fluent软件,采用多重参考模型和标准k-ε湍流模型对籽晶架和晶体在溶液中旋转产生的速度场进行了数值模拟,分析了不同转速对速度场和晶体长大对溶液稳定性的影响;结合实验现象与模拟结果分析可知,初始阶段适于KDP晶体快速生长的最优转速是100 r/min,随着晶体的长大,转速应适当降低。     

新的聚醚醚酮主客掺杂聚合物体系的研究

制备了ＤＲ１３与ＰＥＫ－ｃ组成的主客掺杂聚合物薄膜ＤＲ１３／ＰＥＫ－ｃ,用ＤＳＣ测量了该体系的玻璃化温度,测量了体系极化前后的吸收光谱,并计算了膜的取向参数,用类似简单反射法测量了线性电光系数。并用棱镜耦合法测量了膜的厚度、折射率及波导的传输模式。     

掺杂焦磷酸对KDP晶体光散射的影响

掺杂焦磷酸的情况下降温生长了ＫＤＰ晶体,采用激光层析法对晶体的光散 观察,掺杂后晶体的光散射现象明显加剧;晶体的锥面、柱面和椎柱交界面处的散射点密度并不相同,其原因在于焦酸对ＫＤＰ晶体的锥面和锥面的影响不同。     

平板显示产业的发展现状和前景分析(液晶专题)

近年来，平板显示技术，尤其是液晶显示与等离子显示技术，在我国得到突飞猛进的发展，对我国显示产业从传统显示器向平板显示器的转型具有重要意义。本文从平板显示技术的基本概念、分类和产业链结构出发，结合近年来全球平板显示产业发展的背景，分析了我国平板显示产业的发展现状和趋势，并就深圳市平板显示产业的发展策略提出了建议。     

新型热释电晶体ATGSP和ATGSAs的生长及性质

为了进一步改进TGS晶体的性能,从结晶化学的观点考虑,选取了三元酸-磷酸或砷酸取代TGS中硫酸的研究,取得了较好的结果。为了防止退极化,又掺入少量L-丙氨酸,就形成了新的改性TGS类晶体-ATGSP和ATGSAs。测试证明,新晶体具有良好的热释电性能。     

6 kV F＋C开关分合闸异常分析

介绍了一起6 kV F＋C开关异常分合闸事故。通过对装置的检查和分析,确定了事故的原因,提出了在F＋C开关、控制逻辑和继电保护配合中需要采取的整改措施,以避免开关出现异常时造成相关电气设备的损毁事故。