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在高通量堆(High Flux Engineering Test Reactor,HFETR)内辐照了ThO2样品,利用三氟甲烷磺酸(Trifluoromethanesulfonic Acid,TFMS)将辐照后的ThO2样品溶解,对辐照产生的233Pa和95Zr、103Ru、137Cs等裂片核素进行了分析,获得各核素相对于Th的产额;利用磷酸三丁酯(Tributyl Phosphate,TBP)萃淋树脂对铀/钍进行了分离,并用电感耦合等离子体质谱(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry,ICP-MS)γ谱仪对辐照生成的U含量进行了测算。在热中子注量1.32×1020n·cm-2(快/热中子比约2.8∶1)条件下,7.1 mg辐照后的二氧化钍中233U含量为8.01μg(产额为0.128%,U/Th),232U含量为1.21×10-4μg,232U/233U为1.51×10-5。 相似文献
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MJTR运行期间,在堆芯围桶外壁布置了多组活化探测器,对热中子和快中子探测器注量率及其分布进行测量,评估了MJTR围桶外辐照能力。试验结果表明MJTR围桶外紧贴围桶中平面高度位置2200m.s-1热中子注量率为3.46E+10 n.cm-2.s-1,E≥1.0MeV快中子注量率为2.21E+09 n.cm-2.s-1。轴向热中子与快中子注量率近似服从余弦分布,而径向热中子和快中子注量率近似服从指数衰减分布。在MJTR围桶外径向0-1500 mm距离内快中子注量率分布在109-100n.cm-2.s-1,MJTR围桶外能够进行辐照要求在此范围之内的材料考验。 相似文献
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由于活化箔材料和单晶硅目标核素的活化截面随中子能量的变化曲线形状不同,导致等效2200 m/s热中子注量率的活化箔法确定值与单晶硅目标活化率的对应值存在一定的偏差。为研究活化截面的变化差异对测量的影响,对热中子活化截面均服从1/v规律,但共振积分和2200 m/s热中子活化截面的比值相差较大的Zr箔和CoAl箔进行了测量比较。结果表明,由于超热中子对前者的活化率贡献更大,导致Zr箔确定的值明显高于CoAl箔的值,活化截面的变化差异对测量结果有显著影响。为消除该影响,采用通过两种活化箔确定的值和Stoughton-Halperin约定关系式建立方程组的方法,确定了与单晶硅目标活化率对应的等效2 200 m/s热中子注量率。 相似文献
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