CeF3掺杂增强纳米晶Si光致发光强度的研究

真空蒸发SiO粉末,在Si(100)基体上制备SiOx薄膜,后续氮气中1100 ℃退火制备镶嵌在SiO2基体中的纳米晶Si体系(nc-Si/SiO2),然后将该样品放入真空室,在其上沉积CeF3薄膜,不同温度下热处理使Ce3+扩散到nc-Si附近,实现对纳米晶Si的掺杂.通过改变CeF3薄膜厚度调节掺杂浓度,在一定的掺杂浓度下纳米晶Si的光致发光强度明显改善,激发光谱证实荧光增强机制是Ce3+通过强耦合过程对纳米晶Si的能量传递.     

真空镀膜法制备纳米铝颗粒膜及其表面等离激元共振特性研究

采用直流磁控溅射镀膜技术制备了纳米铝颗粒膜,并尝试通过两种方式获得纳米铝的表面等离激元共振吸收峰,一种是先在室温石英基底上沉积纳米铝,再进行真空退火;另一种是在热石英基底上沉积纳米铝.用透射电镜和扫描电子显微镜、X-射线光电子谱、紫外-可见吸收光谱表征了样品的形貌和晶态结构、成份和吸收特性.采用比对的方式,研究了基底温...     

矩形平面磁控溅射阴极的磁场模拟及结构设计

文章模拟分析了结构参数对磁控溅射阴极磁场分布的影响,设计了一种新型的矩形平面磁控溅射阴极,并对设计的阴极磁场进行模拟分析,结果表明有效提高了靶材表面磁场分布的均匀性.采用在阳极框内侧安装高磁导率的导磁板的方法,改变了阴极体和阳极框之间缝隙的磁场分布,解决了缝隙处的连续放电现象.本研究为磁控溅射阴极的设计提供了依据.     

HT—7超导托卡马克第1壁B／C膜吸O性研究

通常在托卡马克第1壁沉积1层B膜，以降低托卡马克等离子体的O杂质，在HT－7第1壁位置处放了几个石墨样吕，它们与HT－7一起硼化，硼化后取出部分样品膜，剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击，对鲜膜和轰击膜进行XPS分析，发现在成膜过程中B膜开始吸O；等离子体轰击时，B膜进一步吸O，O在膜中与B以化合态B2O3形式存在，并对实际中存在的一些问题进行了探讨。     

二氧化钛薄膜亲水性恢复研究

新制备的锐钛矿TiO2薄膜具有超亲水性,在使用和储存过程中超亲水性会降低.本文探究恢复亲水性的方法,采用热处理、等离子体辐照、紫外光照射等技术恢复锐钛矿TiO2薄膜亲水性,三种方法均能够有效地恢复薄膜表面的亲水性.热处理及紫外光照射操作简单而经过等离子体辐照的薄膜能保持更长时间的可见光致亲水性.     

HT-7超导托卡马克第1壁B/C膜吸O性研究

通常在托卡马克第1壁沉积1层B膜,以降低托卡马克等离子体的O杂质。在HT-7第1壁位置处放了几个石墨样品,它们与HT-7一起硼化。硼化后取出部分样品膜,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击。对鲜膜和轰击膜进行XPS分析,发现在成膜过程中B膜开始吸O;等离子体轰击时,B膜进一步吸O。O在膜中与B以化合态B2O3形式存在。并对实际中存在的一些问题进行了探讨。     

二氧化钒薄膜在智能窗方面应用研究

二氧化钒是一种热致变色材料，相变温度为68℃，相变前后二氧化钒光学性能有较大的变化，如二氧化钒对红外线透过率低温态时大，高温态时小，利用这一特点，在玻璃基体上沉积二氧化钒薄膜，可实现对汽车、建筑物、航天器等室内温度的自动调节，从而达到对太阳光能的智能化利用，节省地球能源，本文分析应用原理并且探讨相关问题。     

HT—7超导托卡马克第一壁He辉光硼化实验研究

为了降低聚变等离子体杂质的含量,改善等离子体性能,对HT-7进行了射频辅助的氦气直流辉光放电硼化.硼化后,等离子体参数提高,等离子体行为明显改善.由此证实了硼化为HT-7稳态运行提供了良好的壁条件.     

大气压等离子体射流装置及应用研究进展

大气压等离子体射流(APPJ)能够在开放空间而不是在狭窄放电间隙中产生高活性非平衡低温等离子体,APPJ已经成为国际上等离子体科学与技术领域的研究热点之一。本文首先介绍了4种典型的等离子体射流装置,包括单针、针-环、单双环以及微腔结构,并分析了各自的结构特点。然后介绍了APPJ近几年的研究进展,包括射流装置结构、活性粒子探测方法、射流与外界物质相互作用及应用等方面。最后对APPJ面临的一些关键问题和发展方向进行了展望。     

二氧化钒相变分析及应用

二氧化钒是一种热致变色材料,块体VO2在68℃时会从高温的西方晶系相变到低温的单斜晶系,而且相变可逆。由于其相变的特殊性,使VO2有广泛的应用。本文分析了二氧化钒相变晶体学、热力学和动力学特征;探讨了影响VO2薄膜相变的因素,并将薄膜相变特性和膜的制取及应用结合起来,以期更好地探讨二氧化钒相变的应用研究。