岗位胜任能力评价结果辅助统计工具的开发及应用

在电力行业中,岗位胜任能力评价是一项常态开展的考评任务,其涉及人员范围广、项目数量多、次数频率高。对于人力资源教育培训线条管理人员来说,人工处理考评结果的方式效率低且易出错。现利用相关信息技术,提出了一种自动汇总及更新员工岗评结果的解决方案,并开发了基于B/S架构的岗评结果辅助统计工具,从而有效解决了人工处理效率和准确率低下的问题。     

1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.     

1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.     

光纤通信中的偏振无关光环行器

本文报道了几种光纤通信用偏振无关光环行器，对它们的原理做了简要介绍。尤其着重于以双折射晶体、法拉第旋转器、二分之一波片为基本元件的双光纤三端口环行器。     

光纤通信中的偏振无关光环行器

本文报道了几种光纤通信用偏振无关光环行器,对它们的原理做了简要介绍。尤其着重于以双折射晶体、法拉第旋转器、二分之一波片为基本元件的双光纤三端口环行器。     

激光二极管泵浦的全固体激光器

自从激光器产生以来,激光器家族不断发展壮大,本文从激光器发展变化的趋势出发,介绍了激光二极管泵浦的全固体激光器的现状及发展方向,概括介绍了激光二极管全固体激光器的应用前景和市场预测。     

利用大数据检测智能电网异常的分层架构

重点研究了智能电网异常分析过程中的大数据分析功能的分层架构.通过对当前电网大数据的数据结构进行分析,同时分析了当前智能电网大数据系统的惯用分析方法,最终形成了4个智能电网大数据分析过程的分析分层架构.第一层直接层可以通过对单节点数据的分析找到单一设备的直接故障,第二层关联层可以通过对多个节点的关联性特征进行时域比较分析...     

FCBGA基板关键技术综述及展望

倒装芯片球栅格阵列（FCBGA）基板是人工智能、5G、大数据、高性能计算、智能汽车和数据中心等新兴需求应用的CPU、图形处理器（GPU）、FPGA等高端数字芯片的重要载体,业界对其需求量快速增长。对FCBGA基板的关键技术进行了介绍,包括精细线路技术、翘曲控制技术和局部增强技术。同时,对FCBGA基板技术的发展趋势及应用前景进行了展望。     

In0．2Ga0．8As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs／GaAs自组织量子点

用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和x ML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109 cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm.     

单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备

通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点.使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2.这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中.