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用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了金属富勒烯分子Gd@C82在Si(111)7×7重构表面的吸附特性和电学特性.STM形貌像显示Gd@C82分子和Si基底之间相互作用较强,Gd@C82分子吸附在Si基底的三种特定的位置上,其中在Si(111)7×7单胞内三个顶戴原子间的吸附位最稳定.扫描隧道谱(STS)的测量显示Gd@C82分子呈现半导体特性.分子表面局域电子态密度(LDOS)在Gd附近受到Gd与碳笼间电子转移的影响,发生显著变化. 相似文献
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利用场发射显微镜研究了单壁碳纳米管(SWCNTs)的场发射特性。由于实验中所用的SWCNTs的长度基本一致,因此能同时观察到多根SWCNTs的场发射像。SWCNTs的场发射像随着热处理温度的升高而变化,直至热处理温度过高而塌缩。在一定的实验条件下,观察到了具有精细结构的单根碳纳米管顶端“帽子”的场发射像。电流-电压(I-U)曲线分析表明,SWCNTs的电流来源于场发射。 相似文献
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将单壁碳纳米管组装于W针尖,对它进行热处理,得到单壁碳纳米管在不同温度去气时的残气质谱图和热处理后的场发射特性曲线。通过对不同温度去气后的I-U特性曲线的Fowler-Nordheim直线斜率的变化,结合残气质谱图的分析,研究热处理对单壁碳纳米管场发射特性的影响,并对其机理进行了初步讨论。 相似文献
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利用场发射显微镜研究单壁碳纳米管的场发射特性 总被引:1,自引:0,他引:1
利用场发射显微镜研究了单壁碳纳米管(SWCNTs)的场发射特性.由于实验中所用的SWCNTs的长度基本一致,因此能同时观察到多根SWCNTs的场发射像.SWCNTs的场发射像随着热处理温度的升高而变化,直至热处理温度过高而塌缩.在一定的实验条件下,观察到了具有精细结构的单根碳纳米管顶端"帽子"的场发射像.电流-电压(I-U)曲线分析表明,SWCNTs的电流来源于场发射. 相似文献
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场离子显微镜是具有原子级分辨能力的尖端表面分析工具。它适用于纳米尺度的单壁碳纳米管(SWCNTs)末端表面原子排列的观测。利用范氏力将SWCNTs组装到钨针尖上,用场离子显微镜观察了这种针尖样品。在观察过程中对针尖样品进行了加热处理,既除掉非晶的C原子,也破坏了由于碳纳米管切割制造过程使用表面活化剂引起的高电阻层,得到了开口SWCNTs的场离子显微镜像,由此推断出SWCNTs束的顶端原子结构,估算出观察到的SWCNTs的直径,并且模拟了其中一个图像所代表的SWCNTs顶端开口的原子排列,推断出产生这个图像的SWCNTs是(7,7)型结构。 相似文献
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