基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的12位1.6 GS/s折叠插值A/D转换器

提出了一种基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的高速、高精度折叠插值A/D转换器。采用基于SEF开关的新型采样/保持电路,固定保持阶段电压,实现了高速、高精度、高线性度的信号采样。采用带有射极跟随器的折叠放大器,构成平均折叠和环形插值的四级级联结构,减少了比较器数目,降低了建立时间和整体功耗。采用新型两级比较器,将模拟与数字信号进行隔离,优化了回踢噪声。使用小尺寸晶体管,减小了再生时间。在3.3/5 V电源和0.13 μm SiGe BiCMOS工艺下,该折叠插值A/D转换器实现了1.6 GS/s的采样率,SFDR为71.3 dB,SNDR为63.6 dB,ENOB为10.27 bit。     

溶胶-凝胶法制备核壳结构MoSi2@Al2O3颗粒及其形成机理

热应力和氧化生长层会导致热障涂层(TBCs)中微裂纹的萌生和扩展。MoSi₂被选为下一代自愈合因子，因为它改善了SiO₂的流动性，并在高温下加速了内部裂缝的愈合。本研究采用溶胶-凝胶法实现MoSi₂@Al₂O₃核壳结构，可提高MoSi₂在氧化性气氛下的抗预氧化性能。选择异丙醇铝作为铝源，通过正交试验研究了温度、pH值和水铝比对增重的影响，得到了最佳参数。通过XRD、SEM、EDS和TEM方法分析了后处理的影响(包括相组成和微观结构)。结果表明，90℃、pH=4和水铝比200的组合是最佳参数。壳层增重最高可达22%。因为可以改变MoSi₂表面的Zeta电位，所以pH值在增重上占据主导地位。在真空炉中热处理3 h后，在1 200℃下得到最大厚度(约200 nm)的α-Al₂O₃壳层。为避免MoSi₂的预氧化，后处理应在真空气氛中进行。