UV—Hg灯光化学气相淀积SiO2薄膜的工艺研究

一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用光增强反应气体材料的光激活和光分解,可以在50～300℃条件下形成薄膜.与高温氧化、常压CVD相比,它可以减少温度对杂质分布的影响,降低针孔密度,避免芯片弯曲,抑制工艺中诱发新的缺     

光CVD-SiO_2薄膜的研究

本文论述了光化学气相淀积(光CVD)SiO_2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO_2薄膜。对薄膜的物理性质和化学性质进行了讨论。结果表明:光CVD技术在半导体低温化工艺中将很有前途。     

低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si_3N_4薄膜

用光-CVD 技术,在100—200℃的温度下,在 Si 片上淀积出了 Si_3N_4薄膜。本文研究了薄膜淀积速率与淀积参数的关系,讨论了淀积的 Si_3N_4薄膜的物理性质、化学性质和力学性质。     

激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜

本文简要介绍了激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜的原理和实验装置，以及激光蒸发淀积技术在制备高Tc超导薄膜中的应用。