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本文采用恒电流电化学沉积工艺制备Bi-Te二元薄膜。随着沉积时间的变化,在同一个电极上依次出现了单相的Bi2Te3和Bi4Te3薄膜。其中,Bi2Te3薄膜是由规则的长度为100 nm左右,平均宽度为10 nm的纳米棒组成。其具有非常大的比表面积,非常有利于其作为热电材料的应用。而Bi4Te3薄膜是由纳米颗粒团聚而成的不规则多面体组成的。本文的研究证明通过改变沉积参数,有可能在Bi-Te二元系统的沉积过程中对生成物的相组成和形貌进行调控。 相似文献
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研究了用低温湿化学法和水热法制备纳米级的Bi2Te3和sb挪e3颗粒,并通过透射电镜观察其微观形貌。Bi2Te3粉末的微观形貌为直径在30-50n之间的片状小颗粒,而sb2Te3颗粒的微观形貌为薄带状,直径约为70nm,长度则为从150-300nm不等,并对其晶体的形核和长大机理进行了讨论。认为,纳米小颗粒状的Bi2Te3晶体可能是通过“表面形核和侧向生长”形成的产物,而薄带状的sb2Te3晶体可能是在Te块解体形成的条带状碎屑基础上形成的。用放电等离子烧结法(spark plasma sintering)制备不同比例的Bi2Te3/Sb2Te3块状复合材料,测量并比较了其热电性能。通过改变Bi2Te3的量,可以提高复合材料的电性能。成分不同的层片间的散射,能更有效地降低块体材料的热导率。在500K的温度下,Bi2Te3和sb2Te3以摩尔比为1:1复合烧结的试样的热导率低达0.7W/(m·K)。进一步优化Bi2Te3和sb2Te3的复合比例,其热电性能可能会有进一步的提高。 相似文献
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Ge_(50-x)Sb_xTe_(50) and Ge_(50-x)Bi_xTe_(50) ternary alloys were synthesized by vacuum melting at 1273 K with the starting materials of Ge, Bi, Sb, and Te. The lattice structures were analyzed based on X-ray diffraction patterns, which could all be indexed to R3m rhombic structure. Electrical properties measurements revealed that the Ge-Sb-Te ternary alloys were p-type semiconductors with high electrical conductivity of 4.5×10~5S?m~(-1) near room temperature. And the maximum electrical property was obtained at Ge_45Sb_5Te_50, with the power factor of 2.49×10~(-3)W?m~(-1)K~(-2) at 640 K. Due to the existence of secondary phases, the electrical conductivity of Ge-Bi-Te system was lower and Seebeck coefficient was higher comparing with those of Ge-Sb-Te system. 相似文献
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