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利用二次离子质谱(SIMS)系统地研究了生长温度,Al组份x值和As_4压强对Siδ掺杂Al_xGa_(1-x)As的SIMS深度剖面,Si原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现,在外延生长Siδ掺杂Al_xGa_(1-x)As时,随着生长温度的提高或Al组份X值增加,Si掺杂分布SIMS峰都非对称展宽,表面分凝作用加强,但不影响Si原子的扩散,因此SIMS剖面的展宽与扩散无关。另外,我们还发现As_4压强高于1.5×10 ̄(-5)mbar时,As_4压强对δ掺杂空间分布影响不大,而As_4压强低于此压强时,Si掺杂分布峰宽度增加很快,这主要由杂质扩散作用引起。生长温度对掺杂分布峰影响最大,其次是Al组份影响,而较小As_4压强的影响不可忽视。这些研究结果对外延生长Siδ掺杂Al_xGa_(1-x)As材料是有价值的。 相似文献
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