首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2篇
  免费   0篇
一般工业技术   2篇
  1984年   1篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
我们用低能氩离子(2keV)对于没有经过热处理的氧化物阴极基金属Ni-W-Mg合金以及含镁量较高的Ni-Mg合金进行了剥层,并用PHI 550俄歇电子能谱仪对经过不同剥层时间间隔的样品表面进行了分析。从各元素的俄歇电子能谱可以看出,在上述合金样品表面存在有镁的富集层。本文就Mg富集形成的原因,进行了有关实验,并且作了讨论。  相似文献   
2.
一、引言六十年代初,荷兰原子分子研究所的J.Kistemaker,C.Snoek和W.F.Van der Weg利用由同位素分离器得到的60keV的氩离子,15keV的氩离子和氖离子轰击铜靶,观察到从铜辐射出来的CuⅠ和CuⅡ谱线。同时,他们还对氧化亚铜进行了研究,氧化亚铜的光子产额比铜的光子产额要高得多。以后,又经过许多人的努力,终于在1971年由C.W.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号