P-N结中的一个新电容模型——光生电荷的常分布电容(英文)

This paper initially suggests a new capacitance model, i.e., the constant distribution capacitance of photogenerated charge (C.D.C.P.C.). The capacitance originating from the distribution of photogenerated charge in a junction region does not connect with alternative electric signals applied on the junction. It essentially distinguishes from the depletion and diffusion differential capacitances as previously known. Since the photo-generated charge, Q, and the photogenerated voltage, V, are connected by the equation, Q-CV, where C is just the C.D.C.P.C. the importance of this new capacitance model is self-evident. In the paper, the expressions of C.D.C.P.C. under the condition of approximately abrupt and graded junctions are deduced respectively at low forward bias. As the examination of the validity of the C.D.C.P.C. model, the deduced results are applied to the contactless test method of the device leakage and a good agreement between the theoretic calculation and experimental results is obtained, which enables the quantitative determination of the device leakage by the high frequency photoconductor decay method to be possible,     

BaTiO3基材料PTCR理论进展

着重介绍了ＰＴＣＲＢａＴｉＯ３材料中的界面析出模型。界面析出模型能比例满意的解释ＢａＴｉＯ３材料中的ＰＴＣＲ效应，但是它是对以往模型的继承和发展。为了更深刻地理解界面析出模型，本文用了分析对比的方法，对各种模型进行了比较。     

垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时坩埚下降速度的优化研究

在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响。本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因。模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面。实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致。因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案。     

银-钨电接触材料电阻特性的计算机模拟

采用计算机模拟的方法来研究银钨合金的电极材料中两者比例及气孔率对电阻率的影响。首先建立电接触材料的计算机模型，以电阻网络来作为它的物理模型。然后使用矩阵求解的方法解得该电路。据此结果与国家标准相比较进行了讨论。并用此模型模拟计算了其他材料。     

一种测量太阳电池串联电阻的方法——三、四探针法

本文讨论了一种测定太阳电池串联电阻(栅线的接触电阻和扩散层的薄层电阻)的实验方法——三、四探针法,概述了它的原理及实验结果,并与其它方法作了比较。     

激光高频法测量硅单晶少子寿命

本工作采用波长1.06微米的机械调Q激光器作光源,用高频光电导衰减法测试电阻率在1～10欧-厘米范围内的硅单晶少子寿命,获得了较好的初步成果。这种改进寿命测试方法的特点是激光技术和高频无接触耦合,故定名为“激光高频法”,该方法所需设备和测试操作都不太复杂,适当改进后,可作为一种测试大规模集成电路用的低阻硅材料少子寿命的常规方法。     

化学镀工艺中粉体形貌对复合电接触材料性能的影响

本文研究了化学包覆工艺对Ag80(WC70TiC30)17C3新型复合电接触材料粉体形貌和性能的影响。结果显示控制制粉工艺参数可使粉体有不同程度的聚集和不同的形貌，使粉体有不同的松装密度，而体材料具有不同的电阻率。     

高导电性BaRuO_3薄膜及其脉冲激光沉积

钌酸盐是典型的ＡＢＯ３型过渡金属氧化物，具有金属导电性，其薄膜可作为电极材料用于集成铁电等器件中。分析了ＢａＲｕＯ３的钙钛矿晶体结构和导电机制，并利用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术，结合后续退火处理，在Ｓｉ（１００）衬底上生长出具有（１１０）取向、室温电阻率约１０－２～１０－３Ω·ｃｍ的ＢａＲｕＯ３高导电性薄膜，俄歇能谱（ＡＥＳ）和Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱（ＲＢＳ）分析表明：薄膜ＢａＲｕＯ３的纯度高、成分均匀性好，ＢａＲｕＯ３／Ｓｉ界面存在扩散过渡层。     

Cd在Cd0．9Zn0．1Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能

为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073 K,973 K和873 K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s.将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式2.33×exp(-2.38 eV/kT)(873 K～1073 K),其中扩散激活能QCd为2.38 eV.